[发明专利]一种稳定掺杂降低石墨烯薄膜方块电阻的方法在审
申请号: | 201410805775.6 | 申请日: | 2014-12-22 |
公开(公告)号: | CN104658731A | 公开(公告)日: | 2015-05-27 |
发明(设计)人: | 黄德萍;姜浩;朱鹏;李占成;张永娜;高翾;史浩飞 | 申请(专利权)人: | 中国科学院重庆绿色智能技术研究院;重庆墨希科技有限公司 |
主分类号: | H01C17/075 | 分类号: | H01C17/075 |
代理公司: | 北京轻创知识产权代理有限公司 11212 | 代理人: | 杨立 |
地址: | 400714 *** | 国省代码: | 重庆;85 |
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摘要: | 本发明涉及一种稳定掺杂降低石墨烯薄膜方块电阻的方法,其特征在于,包括以下步骤:将转移在基底上的石墨烯薄膜与含有稳定掺杂剂成分的试剂进行相互接触,接触时间为1~240min,实现对石墨烯薄膜进行稳定掺杂,降低石墨烯薄膜方块电阻。通过本发明对石墨烯薄膜进行处理之后,在基本不影响石墨烯薄膜透光率的情况下,不仅可以降低其方阻,更为重要的是可以使石墨烯薄膜的方阻长期保持稳定,且在80~120摄氏度高温烘烤60~240min及长期放置下,方阻变化不大,从而方便后续进行图案化等处理,促进石墨烯薄膜在显示技术等对透明导电薄膜的方阻和透光率要求较高的工业领域进行广泛应用。 | ||
搜索关键词: | 一种 稳定 掺杂 降低 石墨 薄膜 方块 电阻 方法 | ||
【主权项】:
一种稳定掺杂降低石墨烯薄膜方块电阻的方法,其特征在于,包括以下步骤:将转移在基底上的石墨烯薄膜与含有稳定掺杂剂成分的试剂进行相互接触,接触时间为1~240min,实现对石墨烯薄膜进行稳定掺杂,形成的稳定的∏‑∏重叠结构,降低石墨烯薄膜方块电阻;其中,所述稳定掺杂剂为含有苯环、萘环或稠环中两个以上苯环相邻或者相连的芳香基团的化学试剂,包括如下结构式:其中,所述R包括H,‑NO2,‑CN,‑F,‑NH2,‑NH‑,‑N=,SO3或‑OSO3中的任意一种或两种以上的混合;所述X包括C,O,N或S中的任意一种或两种以上的混合;所述Ar包括具有共平面共轭结构的含有芳香基团及其衍生物结构。
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