[发明专利]一种石墨烯薄膜的稳定掺杂方法有效
| 申请号： | 201410805798.7 | 申请日： | 2014-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN104528699A | 公开（公告）日： | 2015-04-22 |
| 发明（设计）人： | 黄德萍;姜浩;朱鹏;李占成;张永娜;高翾;史浩飞 | 申请（专利权）人： | 中国科学院重庆绿色智能技术研究院;重庆墨希科技有限公司 |
| 主分类号： | C01B31/04 | 分类号： | C01B31/04 |
| 代理公司： | 北京轻创知识产权代理有限公司 11212 | 代理人： | 杨立 |
| 地址： | 400714 *** | 国省代码： | 重庆;85 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种石墨烯薄膜的稳定掺杂方法，包括将掺杂试剂分子包裹在石墨烯与石墨烯之间的步骤和/或将掺杂试剂分子包裹在基底与石墨烯之间的步骤，将掺杂试剂分子包裹在基底与石墨烯之间的步骤中不使用临时基底。本发明提供了一种提升石墨烯掺杂效果的时间稳定性的方法，从而提升了石墨烯的质量，促进石墨烯薄膜在显示技术等对透明导电薄膜的方阻要求较高的工业领域进行广泛应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 石墨 薄膜 稳定 掺杂 方法 | ||
【主权项】：
一种石墨烯薄膜的稳定掺杂方法，其特征在于：包括将掺杂试剂分子包裹在石墨烯与石墨烯之间的步骤和/或将掺杂试剂分子包裹在基底与石墨烯之间的步骤；其中，所述将掺杂试剂分子包裹在石墨烯与石墨烯之间的步骤具体如下：步骤1)将石墨烯通过CVD法生长在铜箔上，然后将临时基底贴合在所述石墨烯上；步骤2)将所述铜箔放入刻蚀液中，对所述铜箔进行刻蚀、水洗、吹干后，得到临时基底/石墨烯层样片，将所述样片的石墨烯的一面与基底贴合，然后去掉临时基底，再将石墨烯面放入掺杂液中进行掺杂，水洗、干燥后，得到石墨烯面上设有掺杂剂的样片；步骤3)将所述石墨烯面上设有掺杂剂的样片贴合到另一个临时基底/石墨烯层的样片上，然后再去掉所述临时基底，得到从下到上为依次为基底、石墨烯、掺杂剂及石墨烯顺序的样片形式；所述将掺杂试剂分子包裹在基底与石墨烯之间的步骤具体如下：1.1)将石墨烯通过CVD法生长在铜箔上，得到石墨烯/铜箔样片；1.2)在石墨烯面上进行掺杂，得到掺杂后的样片，然后将掺杂后的样片与基底进行贴合，最后放入刻蚀液中，对所述铜箔进行刻蚀，得到石墨烯面上设有掺杂剂的样片，最终得到从下到上为依次为基底、掺杂剂、石墨烯顺序的样片形式。
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