[发明专利]具有双分级电子阻挡层的氮化物LED结构在审
| 申请号： | 201410805979.X | 申请日： | 2014-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN104733582A | 公开（公告）日： | 2015-06-24 |
| 发明（设计）人： | 马修·泽维尔·先尼;竹冈忠士 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 王波波 |
| 地址： | 日本国大阪府大阪*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明为具有双分级电子阻挡层的氮化物LED结构。基于III族氮化物的发光器件包括n型半导体层；第一p型半导体层；有源区；以及电子阻挡区，电子阻挡区包括位于有源区与第一p型半导体层之间的AlGaInN，并且至少包括升级层和降级层。电子阻挡区的升级层的铝成分从电子阻挡区的有源区侧向电子阻挡区的第一p型半导体层侧增加，并且电子阻挡区的降级层的铝成分从电子阻挡区的有源区侧向电子阻挡区的第一p型半导体层侧减小。基于氮化物的发光器件可以是发光二极管或激光二极管。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 分级 电子 阻挡 氮化物 led 结构 | ||
【主权项】：
一种基于III族氮化物的发光器件，包括：n型半导体层；第一p型半导体层；有源区；以及电子阻挡区，包括位于所述有源区与所述第一p型半导体层之间的AlGaInN，并且至少包括升级层和降级层；其中，所述电子阻挡区的所述升级层的铝成分从所述电子阻挡区的有源区侧向所述电子阻挡区的第一p型半导体层侧增加，以及所述电子阻挡区的所述降级层的铝成分从所述电子阻挡区的所述有源区侧向所述电子阻挡区的所述第一p型半导体层侧减小。
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