[发明专利]磁记录介质有效
| 申请号： | 201410806556.X | 申请日： | 2014-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN104766613B | 公开（公告）日： | 2019-03-19 |
| 发明（设计）人： | 关口昇;尾崎知恵;立花淳一 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | G11B5/66 | 分类号： | G11B5/66;G11B5/851 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 王玉双;祁建国 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供一种包括具有长度方向和宽度方向的表面的磁记录介质。该表面上的算术平均糙度Ra、PSDMD,短/PSDTD,短比以及PSDMD,长/PSDTD,长比满足Ra≤3.0nm，PSDMD,短/PSDTD,短≤0.65，以及1.3≤PSDMD,长/PSDTD,长≤2.3，其中，PSDMD,短为该表面的长度方向上0.15μm至0.4μm范围内的PSD值的平均值，PSDTD,短为表面的宽度方向上0.15μm至0.4μm范围内的PSD值的平均值，PSDMD,长为该表面的长度方向上0.4μm至5.0μm范围内的PSD值的平均值，PSDTD,长为该表面的宽度方向上0.4μm至5.0μm范围内的PSD值的平均值。 | ||
| 搜索关键词： | 磁记录介质 算术平均糙度 | ||
【主权项】：
1.一种磁记录介质，包括：具有长度方向和宽度方向的表面，其中，所述表面上的算术平均糙度Ra、PSDMD,短/PSDTD,短比以及PSDMD,长/PSDTD,长比满足以下关系式Ra≤3.0nm，PSDMD,短/PSDTD,短≤0.65，以及1.3≤PSDMD,长/PSDTD,长≤2.3，其中，PSDMD,短为所述表面的所述长度方向上0.15μm至0.4μm的波长范围内的PSD值的平均值，PSDTD,短为所述表面的所述宽度方向上0.15μm至0.4μm的波长范围内的PSD值的平均值，PSDMD,长为所述表面的所述长度方向上0.4μm至5.0μm的波长范围内的PSD值的平均值，PSDTD,长为所述表面的所述宽度方向上0.4μm至5.0μm的波长范围内的PSD值的平均值。
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