[发明专利]图像传感器及其形成方法有效
申请号: | 201410808034.3 | 申请日: | 2014-12-22 |
公开(公告)号: | CN105374831B | 公开(公告)日: | 2019-06-14 |
发明(设计)人: | 刘铭棋 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人: | 章社杲;李伟 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供了图像传感器和用于形成图像传感器的方法。该图像传感器包括:衬底,并且该衬底包括像素区、外围区和边界区,并且边界区形成在像素区和外围区之间。该图像传感器还包括形成在像素区中的第一栅极堆叠件结构以及形成在外围区中的第二栅极堆叠件结构。第二栅极堆叠件结构包括高k介电层和第一金属层。 | ||
搜索关键词: | 图像传感器 及其 形成 方法 | ||
【主权项】:
1.一种图像传感器,包括:衬底,其中,所述衬底包括像素区、外围区和边界区,并且所述边界区形成在所述像素区和所述外围区之间;第一栅极堆叠件结构,形成在所述像素区中;以及第二栅极堆叠件结构,形成在所述外围区中,其中,所述第二栅极堆叠件结构包括高k介电层和第一金属层,所述图像传感器还包括:介电层,形成在所述衬底中和所述边界区中;以及第二金属层,形成在所述边界区中的所述介电层中,其中,所述第二金属层嵌入在所述介电层中,所述第二金属层还形成在所述外围区中的所述第一金属层上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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