[发明专利]图像传感器及其形成方法有效

专利信息
申请号: 201410808034.3 申请日: 2014-12-22
公开(公告)号: CN105374831B 公开(公告)日: 2019-06-14
发明(设计)人: 刘铭棋 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146
代理公司: 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 代理人: 章社杲;李伟
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 发明提供了图像传感器和用于形成图像传感器的方法。该图像传感器包括:衬底,并且该衬底包括像素区、外围区和边界区,并且边界区形成在像素区和外围区之间。该图像传感器还包括形成在像素区中的第一栅极堆叠件结构以及形成在外围区中的第二栅极堆叠件结构。第二栅极堆叠件结构包括高k介电层和第一金属层。
搜索关键词: 图像传感器 及其 形成 方法
【主权项】:
1.一种图像传感器,包括:衬底,其中,所述衬底包括像素区、外围区和边界区,并且所述边界区形成在所述像素区和所述外围区之间;第一栅极堆叠件结构,形成在所述像素区中;以及第二栅极堆叠件结构,形成在所述外围区中,其中,所述第二栅极堆叠件结构包括高k介电层和第一金属层,所述图像传感器还包括:介电层,形成在所述衬底中和所述边界区中;以及第二金属层,形成在所述边界区中的所述介电层中,其中,所述第二金属层嵌入在所述介电层中,所述第二金属层还形成在所述外围区中的所述第一金属层上。
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