[发明专利]一种用于超薄、柔性电子器件转移的装置、方法和应用在审
申请号: | 201410808551.0 | 申请日: | 2014-12-22 |
公开(公告)号: | CN104538344A | 公开(公告)日: | 2015-04-22 |
发明(设计)人: | 黄永安;徐洲龙;刘尊旭;高嵩;刘慧敏;尹周平 | 申请(专利权)人: | 华中科技大学 |
主分类号: | H01L21/687 | 分类号: | H01L21/687;H01L21/677 |
代理公司: | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人: | 李智 |
地址: | 430074 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种用于电子器件转移的装置,包括:上电极层和下电极层,其对置间隔布置,通电后在两者之间可产生电场;粘性层,其固结在下电极层的下表面;还包括设置在上电极层和下电极层之间的电活性层,其可在两电极层通电而产生的电场作用下被挤压而产生纵向以及横向的变形,该变形驱动电极层和粘性层产生变形,从而产生剪力和/或者凹凸顶起力,使其被脱粘并放置于受体基板上。本发明还公开了利用上述装置进行电子器件转移的方法及其应用。本发明可实现电子器件主动放置,装置结构简单,具有快速、可靠,容易控制等优点;可普遍适用于常见的超薄、柔性等多种规格的电子器件转移;也适用于大面积的阵列微电子器件/结构的转印等领域。 | ||
搜索关键词: | 一种 用于 超薄 柔性 电子器件 转移 装置 方法 应用 | ||
【主权项】:
一种用于电子器件转移的装置,可实现电子器件从供体基板至受体基板的转移,该装置包括:上电极层(103)和下电极层(104),其对置间隔布置,通电后可在两者之间产生电场;粘性层(105),其固结在下电极层(104)的下表面,用于粘接待转移的电子器件(201)以将其从供体基板(202)上拾取并从而可转移;其特征在于,还包括设置在上电极层(103)和下电极层(104)之间的电活性层(102),电子器件被移动到受体基板上方后,其可在两电极层通电而产生的电场作用下被挤压而产生纵向以及横向的变形,该变形驱动下电极层(104)和粘性层(105)产生变形,从而产生剪力和/或凹凸顶起力,作用在附着于粘性层(105)表面的电子器件上,使其被脱粘并从而可放置于受体基板上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华中科技大学;,未经华中科技大学;许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201410808551.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种OLED及其制作方法
- 下一篇:二极管自动梳条机的夹持装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造