[发明专利]横向绝缘栅双极型晶体管有效
| 申请号： | 201410810523.2 | 申请日： | 2014-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN105789286B | 公开（公告）日： | 2018-11-27 |
| 发明（设计）人： | 祁树坤 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/36;H01L29/06 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 邓云鹏 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种横向绝缘栅双极型晶体管，包括衬底、衬底上的阳极端和阴极端，以及位于阳极端与阴极端之间的漂移区和栅极，所述阳极端包括衬底上的N型缓冲区，N型缓冲区内的P阱，P阱内的N‑区，P阱表面的两个P+浅结和这两个P+浅结之间的N+浅结。本发明在正向导通时，P+浅结、P阱纵向注入，P+浅结横向注入，实现了空穴的高效注入，降低了导通电阻；反向关断时，N型缓冲区、N‑区、N+浅结形成快速抽取少子(空穴)的路径，达到快速关断的目的，降低了关态损耗。 | ||
| 搜索关键词： | 横向 绝缘 栅双极型 晶体管 | ||
【主权项】：
1.一种横向绝缘栅双极型晶体管，包括衬底、衬底上的阳极端和阴极端，以及位于阳极端与阴极端之间的漂移区和栅极，其特征在于，所述阳极端包括衬底上的N型缓冲区，N型缓冲区内的P阱，P阱内的N‑区，P阱表面的两个P+浅结和这两个P+浅结之间的N+浅结。
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