[发明专利]一种用于单光子探测系统的超导薄膜及其制备方法

摘要

本发明公开了一种用于单光子探测系统的制备方法，包括以下步骤：S1硅片清洗；S2磁控溅射在硅片上生长金属薄膜；S3在金属薄膜的表面均匀的覆盖一层光刻胶，并烘烤定型；S4预制的掩膜板覆盖光刻胶，用紫外线对光刻胶进行曝光；S5取下掩膜板，用显影液腐蚀掉光刻胶中被曝光的部分；S6将显影后的薄膜刻蚀掉裸露的金属薄膜部分；S7、将刻蚀后的薄膜清洗并风干。本发明还公开了一种用于单光子探测系统的超导薄膜，该薄膜以硅片作为基底材料，薄膜材质为金属，薄膜上制备有定位标记，以便于实现自动切片。通过本发明方法制备的薄膜表面平整，不易脱落，无光刻胶残留，同时，薄膜上设计有定位标记，便于后续切割的精准对位，实现自动切割。

主权项

一种用于单光子探测系统的超导薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：S1、选用硅片作为基底材料，将硅片依次在丙酮、乙醇、氢氟酸和超纯水中通过超声波振荡器清洗，然后风干；S2、在清洗后的硅片上生长一层金属薄膜；S3、在金属薄膜的表面均匀的覆盖一层光刻胶，并烘烤使光刻胶凝固定型；S4、将掩膜板覆盖在光刻胶上，通过光刻机用紫外线对光刻胶进行曝光；S5、取下掩膜板，并用显影液腐蚀掉光刻胶中被曝光的部分；S6、将显影后的薄膜通过干法刻蚀工艺刻蚀掉裸露的金属薄膜部分；S7、将刻蚀后的薄膜先后在丙酮、乙醇、氢氟酸和超纯水中通过超声波振荡器清洗并风干，以去除残余的光刻胶。