[发明专利]一种多晶硅铸锭的制造方法及其多晶硅铸锭在审
申请号: | 201410811520.0 | 申请日: | 2014-12-23 |
公开(公告)号: | CN104532345A | 公开(公告)日: | 2015-04-22 |
发明(设计)人: | 李飞龙;黎晓丰;翟传鑫;张光春 | 申请(专利权)人: | 阿特斯(中国)投资有限公司;阿特斯光伏电力(洛阳)有限公司 |
主分类号: | C30B29/06 | 分类号: | C30B29/06;C30B28/06 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 张海英;韩国胜 |
地址: | 215011 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种多晶硅铸锭的制造方法及其多晶硅铸锭,涉及半导体制造技术领域。所述多晶硅铸锭的制造方法,是控制多晶硅料和镓掺杂剂熔解顺序及结晶顺序,并利用铸锭炉顶部的二次加料装置在铸锭未完全结晶时向熔体中添加掺磷硅料,获得补偿电阻率的掺镓多晶硅铸锭;根据所述制造方法生产的多晶硅铸锭为掺镓多晶硅铸锭,通过二次加入掺磷硅料使得所述铸锭整体的电阻率分布均匀。本发明的制造方法获得的多晶硅铸锭,补偿掺镓铸锭顶部的电阻率,整体电阻率分布均匀,提高了铸锭成品率,降低了铸锭成本。 | ||
搜索关键词: | 一种 多晶 铸锭 制造 方法 及其 | ||
【主权项】:
一种多晶硅铸锭的制造方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤一、加料:将多晶硅料和镓掺杂剂的混合物放入铸锭炉的坩埚内,所述铸锭炉上设有二次加料装置,在所述二次加料装置内放入掺磷硅料;步骤二、抽真空、加热:抽真空后,在铸锭炉内充入氩气,按照从上到下的顺序逐渐熔化所述坩埚中的混合物;步骤三、结晶阶段:调节铸锭炉中控温热电偶的温度和铸锭炉侧部的隔热笼向上移动的速率,使熔融混合物自下向上生长;步骤四、掺入掺磷硅料:待熔融混合物结晶至完整铸锭高度的60‑80%之间时,使提前放入二次加料装置中的掺磷硅料落入坩埚;步骤五、退火:对结晶完毕的铸锭进行退火。
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