[发明专利]一种掩膜板、曝光装置、制作光敏树脂图案的方法及基板有效
申请号: | 201410811912.7 | 申请日: | 2014-12-23 |
公开(公告)号: | CN104536258B | 公开(公告)日: | 2019-12-10 |
发明(设计)人: | 刘晓莉 | 申请(专利权)人: | 厦门天马微电子有限公司;天马微电子股份有限公司 |
主分类号: | G03F1/32 | 分类号: | G03F1/32;G03F7/20;G03F7/00 |
代理公司: | 11291 北京同达信恒知识产权代理有限公司 | 代理人: | 刘松 |
地址: | 361101 福建*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | 本发明公开了一种掩膜板、曝光装置、制作光敏树脂图案的方法及基板,所述掩膜板包括:包括第一区域掩膜和第二区域掩膜,所述第一区域掩膜包括第一透光掩膜和遮光区掩膜,所述第二区域掩膜包括第二透光掩膜和遮光区掩膜,所述第一区域掩膜与所述第二区域掩膜交替设置。用以解决由于在制作基板时,因曝光形成的光敏树脂图案的线宽不一致而导致的显示不均匀(mura)问题。 | ||
搜索关键词: | 掩膜 第二区域 第一区域 光敏树脂图案 掩膜板 遮光区 透光 基板 交替设置 曝光装置 显示不均 不一致 线宽 制作 曝光 | ||
【主权项】:
1.一种掩膜板,其特征在于,包括:/n第一区域掩膜和第二区域掩膜;/n所述第一区域掩膜包括第一透光掩膜和遮光区掩膜;/n所述第二区域掩膜包括第二透光掩膜和遮光区掩膜;/n所述第一区域掩膜与所述第二区域掩膜交替设置;/n其中,所述第一区域掩膜对应于曝光装置的棱镜模组的两个棱镜交接处,所述第二区域掩膜对应于所述曝光装置的棱镜模组的棱镜的中间区域;所述第一透光掩膜为全透光掩膜,所述第二透光掩膜为灰阶掩膜;/n所述第二透光掩膜的透光率为所述第一透光掩膜的透光率的80%~90%或所述第二透光掩膜的透光率为所述第一透光掩膜的透光率的60%~80%;/n所述曝光装置使用所述掩膜板对基板上的光敏树脂层进行曝光;其中,当所述光敏树脂层需要不饱和的曝光量时,所述曝光装置使用所述第二透光掩膜的透光率为所述第一透光掩膜的透光率的80%~90%的掩膜板对所述光敏树脂层进行曝光;当所述光敏树脂层需要饱和的曝光量时,所述曝光装置使用所述第二透光掩膜的透光率为所述第一透光掩膜的透光率的60%~80%的掩膜板对所述光敏树脂层进行曝光。/n
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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