[发明专利]一种超薄氮氧化硅膜材料及其制备方法和用途有效
申请号: | 201410811923.5 | 申请日: | 2014-12-23 |
公开(公告)号: | CN104498895A | 公开(公告)日: | 2015-04-08 |
发明(设计)人: | 宋志伟;褚卫国 | 申请(专利权)人: | 国家纳米科学中心 |
主分类号: | C23C16/30 | 分类号: | C23C16/30;C23C16/513 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 巩克栋;侯桂丽 |
地址: | 100190 北*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种超薄氮氧化硅膜材料及其制备方法:将衬底置于化学气相沉积设备腔体中,通入NH3、O2气体和含有SiH4的气体作为反应气体,通入载体和保护气体,进行气相沉积,获得氮氧化硅膜材料,其中,所述化学气相沉积设备腔体的工作温度为100-260℃,工作压力为1-4Pa,功率为200-450W;其中,所述气相沉积的时间为15-40s;所述SiH4气体与O2气体的体积比为9-110,所述含有SiH4的气体与NH3气体的体积比为3-11,所述含有SiH4的气体与载体和保护气体的体积比为0.1-1。本发明在四英寸硅基体上制备得到的氮氧化硅膜材料的厚度为6-9nm,薄膜不均匀性低于0.7%。 | ||
搜索关键词: | 一种 超薄 氧化 材料 及其 制备 方法 用途 | ||
【主权项】:
一种超薄氮氧化硅膜材料,其特征在于,所述氮氧化硅膜材料的厚度为6‑9nm;且在四英寸基底范围内,薄膜不均匀性低于0.7%;其中,所述不均匀性的计算方法为:薄膜不均匀性=(最大值‑最小值)/(平均值×2)×100%,四英寸基底范围内,所测不同点数不少于10个,优选不少于17个。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于国家纳米科学中心,未经国家纳米科学中心许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201410811923.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的