[发明专利]一种铜铟镓硒薄膜太阳电池掺钾元素的方法

摘要

本发明涉及一种铜铟镓硒薄膜太阳电池掺钾元素的方法。本发明属于铜铟镓硒薄膜太阳电池技术领域。铜铟镓硒薄膜太阳电池掺钾元素的方法：步骤1.在衬底上制作背电极：在电池衬底上沉积Mo作为背电极；步骤2.在背电极上采用共蒸发方法制备铜铟镓硒吸收层：第一步衬底温度250-300℃，第二步和第三步衬底温度450-480℃范围；步骤3.铜铟镓硒吸收层薄膜进行掺钾元素处理：降低衬底温度到275-300℃范围内，同时对装有氟化钾元素的蒸发源加热，加热温度为670-700℃，蒸发9-11分钟；步骤4.制备铜铟镓硒薄膜太阳电池：制作缓冲层CdS；i-ZnO层；透明窗口层；减反射层和栅线电极。本发明具有工艺简单，通过提高电池的开路电压来最终提高铜铟镓硒薄膜太阳电池的光电转换效率等优点。

主权项

一种铜铟镓硒薄膜太阳电池掺钾元素的方法，其特征是：铜铟镓硒薄膜太阳电池掺钾元素的方法包括以下工艺过程：步骤1.在衬底上制作背电极通过直流磁控溅射沉积系统在电池衬底上沉积与厚度为500‑700nm的Mo作为背电极；步骤2.在背电极上采用共蒸发方法制备铜铟镓硒吸收层采用共蒸发三步法在背电极上制作铜铟镓硒吸收层，第一步衬底温度250‑300℃，第二步和第三步衬底温度450‑480℃范围；步骤3.铜铟镓硒吸收层薄膜进行掺钾元素处理三步法制备铜铟镓硒吸收层工艺结束后，不关闭硒蒸发源，关闭其他金属蒸发源，降低衬底温度到275‑300℃范围内，同时对装有氟化钾元素的蒸发源加热，加热温度为670‑700℃，蒸发9‑11分钟；步骤4.制备铜铟镓硒薄膜太阳电池在铜铟镓硒薄膜上面自下至上依次制作缓冲层CdS；i‑ZnO层；透明窗口层；减反射层和栅线电极。