[发明专利]氧化铟锡低温镀膜方法在审

专利信息
申请号: 201410812550.3 申请日: 2014-12-24
公开(公告)号: CN104746003A 公开(公告)日: 2015-07-01
发明(设计)人: 王学雷;朱景河;王鹏;黄伟东;黄亚清;李建华 申请(专利权)人: 信利(惠州)智能显示有限公司
主分类号: C23C14/08 分类号: C23C14/08;C23C14/22;C23C14/58
代理公司: 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 代理人: 邓义华;陈卫
地址: 516006 广东省惠州市仲*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明提供一种氧化铟锡低温镀膜方法,所述方法包括以下步骤:在真空腔室里安装氧化铟锡靶材;对上述真空腔室抽真空后充入氩气及水蒸气,在真空压力为0.2~0.7Pa的条件下制作第一膜层,所述氩气及水蒸气的体积比为90~110:1;于所述真空腔室内充入氩气及氧气,在真空压力为0.2~0.7Pa的条件下,在所述第一膜层上制作第二膜层,所述氩气及氧气的体积比为25~35:1。本发明氧化铟锡低温镀膜方法提高了氧化铟锡膜层的耐渗透、易蚀刻且结晶的特性,保证了产品性能的稳定性及耐候性,提升了产品的质量及使用寿命。
搜索关键词: 氧化 低温 镀膜 方法
【主权项】:
一种氧化铟锡低温镀膜方法,其特征在于,所述方法包括以下步骤:在真空腔室里安装氧化铟锡靶材;对上述真空腔室抽真空后充入氩气及水蒸气,在真空压力为0.2~0.7Pa的条件下制作第一膜层,所述氩气及水蒸气的体积比为90~110:1;于所述真空腔室内充入氩气及氧气,在真空压力为0.2~0.7Pa的条件下,在所述第一膜层上制作第二膜层,所述氩气及氧气的体积比为25~35:1。
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