[发明专利]一种正向三结InGaN太阳能电池

摘要

本发明涉及一种正向三结InGaN太阳能电池。本发明属于太阳能电池技术领域。一种正向三结InGaN太阳能电池，其特点是：正向三结InGaN太阳能电池，包括一衬底，AlN成核层、GaN缓冲层、三结InGaN电池和之间的隧道结、半透明电流扩展层，蒸镀于半透明电流扩展层下的正电极；所述三结InGaN电池和隧道结自上至下依次为In_aGa_1-aN电池、底电池隧道结、In_bGa_1-bN电池、中间电池隧道结、In_cGa_1-cN电池，In_aGa_1-aN电池下蒸镀有负电极；所述半透明电流扩展层和In_cGa_1-cN电池之间置有帽层；其中，In_aGa_1-aN电池包括Si掺杂的n-In_aGa_1-aN层和Mg掺杂的p-In_aGa_1-aN层；In_bGa_1-bN电池包括Si掺杂的n-In_bGa_1-bN层和Mg掺杂的p-In_bGa_1-bN层；In_cGa_1-cN电池包括Si掺杂的n-In_cGa_1-cN层和Mg掺杂的p-In_cGa_1-cN层。本发明具有光电转换效率高、使用寿命长、电池工作稳定性高，并可作为完整的电池直接应用等优点。

主权项

一种正向三结InGaN太阳能电池，其特征是：正向三结InGaN太阳能电池，包括一衬底，AlN成核层、GaN缓冲层、三结InGaN电池和之间的隧道结、半透明电流扩展层，蒸镀于半透明电流扩展层下的正电极；所述三结InGaN电池和隧道结自上至下依次为In_aGa_1‑aN电池、底电池隧道结、In_bGa_1‑bN电池、中间电池隧道结、In_cGa_1‑cN电池，In_aGa_1‑aN电池下蒸镀有负电极；所述半透明电流扩展层和In_cGa_1‑cN电池之间置有帽层；其中，In_aGa_1‑aN电池包括Si掺杂的n‑In_aGa_1‑aN层和Mg掺杂的p‑In_aGa_1‑aN层，其中0.85≤a≤1，掺杂浓度为1×10¹⁷‑1×10¹⁹cm^‑3，厚度范围为100nm‑500nm；In_bGa_1‑bN电池包括Si掺杂的n‑In_bGa_1‑bN层和Mg掺杂的p‑In_bGa_1‑bN层，其中0.65≤b≤0.85，掺杂浓度为1×10¹⁷‑1×10¹⁹cm^‑3，厚度范围为100nm‑500nm；In_cGa_1‑cN电池包括Si掺杂的n‑In_cGa_1‑cN层和Mg掺杂的p‑In_cGa_1‑cN层，其中0.45≤c≤0.65，掺杂浓度为1×10¹⁷‑1×10¹⁹cm^‑3，厚度范围为100nm‑500nm。