[发明专利]双面导电IC卡载带的加工方法有效
申请号: | 201410813120.3 | 申请日: | 2014-12-24 |
公开(公告)号: | CN104505350B | 公开(公告)日: | 2019-04-26 |
发明(设计)人: | 余庆华;邵汉文;于艳;高传梅 | 申请(专利权)人: | 山东新恒汇电子科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60 |
代理公司: | 淄博佳和专利代理事务所 37223 | 代理人: | 孙爱华 |
地址: | 255088 山东*** | 国省代码: | 山东;37 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 双面导电IC卡载带的加工方法,属于IC卡载带加工技术领域。包括基板(1),基板(1)上侧由下至上依次设有接触面铜层(3)、接触面镍层(4)和接触面金层(5),基板(1)下侧设有压焊面铜层(6),接触面铜层(3)下侧设有贯穿基板(1)和压焊面铜层(6)的盲孔(9),盲孔(9)内充填有导电体(12),导电体(12)导通接触面铜层(3)与压焊面铜层(6)。双面导电IC卡载带的加工方法,包括充填导电体(12)和回流固化等步骤,在盲孔(9)内注入或填入导电体(12),加热熔融导电体(12),导电体(12)导通接触面铜层(3)与压焊面铜层(6)。具有加工工艺简单、成本低、环保等优点。 | ||
搜索关键词: | 双面 导电 ic 卡载带 及其 加工 方法 | ||
【主权项】:
1.一种双面导电IC卡载带的加工方法,其特征在于:包括基板(1),基板(1)上侧由下至上依次设有接触面铜层(3)、接触面镍层(4)和接触面金层(5),基板(1)下侧设有压焊面铜层(6),接触面铜层(3)下侧设有贯穿基板(1)和压焊面铜层(6)的盲孔(9),盲孔(9)内充填有导电体(12),导电体(12)导通接触面铜层(3)与压焊面铜层(6);所述盲孔(9)内侧在接触面铜层(3)与导电体(12)之间设有盲孔金层(11),所述导电体(12)为焊锡膏;包括以下步骤:步骤1,冲压;在下侧带有压焊面铜层(6)的基板(1)上冲压导电通孔;步骤2,贴铜;在基板(1)上侧贴接触面铜层(3),接触面铜层(3)使导电通孔成为盲孔(9);步骤3,对压焊面铜层(6)与接触面铜层(3)进行表面处理;步骤4,进行贴干膜,曝光,显影和蚀刻,完成导电图形;步骤5,镍金电镀;依次进行镀镍、镀金,在接触面铜层(3)上侧依次电镀接触面镍层(4)和接触面金层(5),在压焊面铜层(6)下侧依次形成压焊面镍层(7)和压焊面金层(8);步骤6,充填导电体(12);在盲孔(9)内注入或填入导电体(12);步骤7,导电体(12)回流固化;加热熔融导电体(12),导电体(12)导通接触面铜层(3)与压焊面铜层(6);所述步骤6与步骤7在倒装芯片工序中完成,倒装芯片采用锡球焊接来实现,在IC卡载带上沉积锡球,同时将锡球预存在盲孔(9)内,然后将芯片翻转加热利用熔融的锡球进行焊接,而盲孔(9)内熔融的锡球形成导电体(12),从而导通接触面铜层(3)与压焊面铜层(6),在倒装芯片的同时完成充填导电体(12)和回流固化。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于山东新恒汇电子科技有限公司,未经山东新恒汇电子科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201410813120.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:基板处理装置以及基板处理方法
- 下一篇:开关柜断路器自动机械分闸装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造