[发明专利]LED芯片及其制作方法在审
| 申请号： | 201410814968.8 | 申请日： | 2014-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN104485405A | 公开（公告）日： | 2015-04-01 |
| 发明（设计）人： | 姚禹;郑远志;陈向东;康建;梁旭东 | 申请（专利权）人： | 圆融光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/20 | 分类号： | H01L33/20;H01L33/24;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 杨贝贝;黄健 |
| 地址： | 243000 安徽省马鞍山*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供一种LED芯片及其制作方法。该LED芯片包括：自下而上的衬底、缓冲层、本征半导体层、第一半导体层、发光层、第二半导体层、电流阻挡层、透明导电层、金属电极以及保护层；第二半导体层和发光层部分去除，保留的第二半导体层和发光层形成第一台面；移除部分裸露的第一半导体层，保留的第一半导体层形成第二台面；其中，第二半导体层与第一半导体层的电性相异。透过分步刻蚀的方法，使得LED芯片形成具备不同深浅结构的双重台面，其中浅台面用于将LED芯片彼此隔离，深台面用于获取最佳的半导体电学特性，浅台面的高度与覆盖其上的保护层的厚度大致相等，避免并解决了现有技术中的LED芯片的漏电及可靠性不佳的问题。 | ||
| 搜索关键词： | led 芯片 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种发光二极管LED芯片，其特征在于，包括：衬底；以及位于所述衬底上的、自下而上的缓冲层、本征半导体层、第一半导体层、发光层、第二半导体层、电流阻挡层、透明导电层、金属电极以及保护层；所述第二半导体层和所述发光层部分去除，对应于所述第二半导体层和所述发光层去除部分的所述第一半导体层裸露，保留的所述第二半导体层和所述发光层形成第一台面；移除部分裸露的所述第一半导体层，保留的所述第一半导体层形成第二台面；其中，所述第二半导体层与所述第一半导体层的电性相异。
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