[发明专利]掩模板、套刻对准方法及制备脊形波导激光器的方法在审
申请号: | 201410815582.9 | 申请日: | 2014-12-23 |
公开(公告)号: | CN104460223A | 公开(公告)日: | 2015-03-25 |
发明(设计)人: | 吴艳华;王飞飞;胡发杰;金鹏;王占国 | 申请(专利权)人: | 中国科学院半导体研究所 |
主分类号: | G03F1/42 | 分类号: | G03F1/42;G03F9/00;H01S5/22 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 曹玲柱 |
地址: | 100083 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明提供了一种掩模板、套刻对准方法及制备脊形波导激光器的方法。该掩模板包括:第一条形图案;以及辅助对准窗口,为与所述第一条形图案垂直的条形图案;其中,所述第一条形图案与辅助对准窗口均为透明图案,在曝光之前,通过所述辅助对准窗口可观察所述第一条形图案与下方半导体基体上的第二条形图案的对准情况。本发明能够借助辅助对准窗口观察第一条形图案是否与下方半导体基体上的第二条形图案对准,方便了两者位置的修正,从而达到提高对版精度和研发效率。 | ||
搜索关键词: | 模板 对准 方法 制备 脊形波导 激光器 | ||
【主权项】:
一种用于条形图案套刻对准的掩模板,其特征在于,包括:第一条形图案;以及辅助对准窗口,为与所述第一条形图案垂直的条形图案;其中,所述第一条形图案与辅助对准窗口均为透明图案,在曝光之前,通过所述辅助对准窗口可观察所述第一条形图案与下方半导体基体上的第二条形图案的对准情况。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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