[发明专利]薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示装置在审
| 申请号： | 201410815652.0 | 申请日： | 2015-08-04 |
| 公开（公告）号： | CN104505404A | 公开（公告）日： | 2015-07-29 |
| 发明（设计）人： | 王祖强;刘建宏;詹裕程;皇甫鲁江 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/84;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 彭瑞欣;陈源 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明属于显示技术领域，具体涉及一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示装置。该薄膜晶体管制备方法，形成所述有源层包括采用晶化工艺使非晶硅转化为多晶硅的步骤，其中，在晶化工艺之前，在非晶硅层的上方形成功能层，所述功能层具有与所述有源层相同的图形；在晶化工艺过程中，使所述非晶硅层在所述功能层图形的对应区域与非所述功能层图形的对应区域之间形成热持温时间差异和压力差异，使得由所述非晶硅层转化的多晶硅层中，所述功能层图形对应的区域的晶粒比非所述功能层图形对应的区域的晶粒大。采用该薄膜晶体管制备方法形成的薄膜晶体管，具有较少的沟道内边界，具有较高的载流子迁移率和较小的漏电流，具有较好的电学特性。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 及其 制备 方法 阵列 显示装置 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管制备方法，包括形成栅极、源极、漏极和有源层的步骤，形成所述有源层包括采用晶化工艺使非晶硅转化为多晶硅的步骤，其特征在于，在晶化工艺之前，在非晶硅层的上方形成功能层，所述功能层具有与所述有源层相同的图形；在晶化工艺过程中，使所述非晶硅层在所述功能层图形的对应区域与非所述功能层图形的对应区域之间形成热持温时间差异和压力差异，使得由所述非晶硅层转化的多晶硅层中，所述功能层图形对应的区域的晶粒比非所述功能层图形对应的区域的晶粒大。
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