[发明专利]转移衬底的氮化镓基高电子迁移率晶体管制作的方法

摘要

一种转移衬底的氮化镓基高电子迁移率晶体管的制作方法，包括：在衬底上依次生长低温成核层、氮化镓高阻层、高迁移率氮化镓层、氮化铝插入层、铝镓氮势垒层和氮化镓帽层；在氮化镓帽层的表面制备硅、铜或氮化铝的第一导电衬底；将衬底与低温成核层分离；将氮化镓高阻层的表面磨抛平整；在氮化镓高阻层的表面制备硅、铜、氮化铝的第二导电衬底，将氮化镓基高电子迁移率晶体管转移到硅、铜、氮化铝的第二导电衬底上；把通过热压键合或电镀在氮化镓帽层上的第一导电衬底去除掉；在氮化镓帽层上面的两侧制作源、漏的欧姆接触电极；在氮化镓帽层上面的中间制作栅极的肖特基接触电极完成制备。

主权项

一种转移衬底的氮化镓基高电子迁移率晶体管的制作方法，包括如下步骤：步骤1：在衬底上依次生长低温成核层、氮化镓高阻层、高迁移率氮化镓层、氮化铝插入层、铝镓氮势垒层和氮化镓帽层，形成氮化镓基高电子迁移率晶体管；步骤2：通过热压键合或电镀在氮化镓帽层的表面制备硅、铜或氮化铝的第一导电衬底；步骤3：通过激光剥离工艺，将衬底与低温成核层分离；步骤4：通过机械磨抛的方法，将与衬底分离后，暴露的氮化镓高阻层的表面磨抛平整；步骤5：通过热压键合或电镀工艺在氮化镓高阻层的表面制备硅、铜、氮化铝的第二导电衬底，将氮化镓基高电子迁移率晶体管转移到硅、铜、氮化铝的第二导电衬底上；步骤6：通过机械磨抛或者化学腐蚀的方法，把通过热压键合或电镀在氮化镓帽层上的第一导电衬底去除掉；步骤7：在氮化镓帽层上面的两侧制作源、漏的欧姆接触电极；步骤8：在氮化镓帽层上面的中间制作栅极的肖特基接触电极完成制备。