[发明专利]一种制作含侧面图形的陶瓷薄膜电路的方法及高精度夹持装置在审
申请号: | 201410817425.1 | 申请日: | 2015-08-03 |
公开(公告)号: | CN104505365A | 公开(公告)日: | 2015-07-29 |
发明(设计)人: | 李彦睿;王春富;何建 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第二十九研究所 |
主分类号: | H01L21/70 | 分类号: | H01L21/70;H01L21/687 |
代理公司: | 成都九鼎天元知识产权代理有限公司 51214 | 代理人: | 钱成岑;袁春晓 |
地址: | 610036 四川*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本发明公开了一种制作含侧面图形的陶瓷薄膜电路的方法及高精度夹持装置,涉及一种激光扫描工艺制作含侧面图形的陶瓷薄膜电路的方法,旨在针对现有技术的问题,提供一种高可生产性的陶瓷薄膜电路侧面图形制作方法,以改善现有产品存在的棱边连接可靠性低,对位精度差,设计复杂等问题。本发明技术要点包括:将陶瓷基片加工成梳状;梳状陶瓷基片的正面与侧面同时金属化绘制正面图形;蚀刻侧面定位点;分离梳齿形成单个梳齿陶瓷基片;绘制侧面图形等。 | ||
搜索关键词: | 一种 制作 侧面 图形 陶瓷 薄膜 电路 方法 高精度 夹持 装置 | ||
【主权项】:
一种制作含侧面图形的陶瓷薄膜电路的方法,其特征在于,包括:步骤1,将陶瓷基片加工成梳状:设置切割轨迹长度小于陶瓷基片边长,并控制切割轨迹任意一侧末端终止在陶瓷基片的内部区域,使切割后的陶瓷基片单边保持连接,从而形成梳状结构的陶瓷基片;其中梳状结构的陶瓷基片上的因切割形成的槽的深度与槽的宽度比例小于或等于2:1;步骤2,梳状陶瓷基片的正面与侧面同时金属化:对梳状陶瓷基片进行溅射,使金属膜层同时沉积在梳状基片的正面与侧面上从而形成连续金属膜层;步骤3,绘制正面图形:利用激光束在梳状陶瓷基片的各个梳齿正面进行图形绘制,保持激光束与梳齿正面垂直;步骤4,蚀刻侧面定位点:正面图形绘制完成后,根据正面图形确定侧面定位点的位置与深度;利用激光束分别在陶瓷基片的各个梳齿正面的相应位置进行扫描形成半圆锥体形盲槽,半圆锥体形盲槽的底面直径与陶瓷基片梳齿边缘重合,半圆锥体形盲槽的底面与陶瓷基片梳齿正面重合,控制激光束的能量从而使得半圆锥体形盲槽的顶点与梳齿正面的距离等于所述侧面定位点的深度;保持激光束与梳齿正面垂直;步骤5,分离梳齿形成单个梳齿陶瓷基片:以垂直于梳齿的方向切割梳状结构的陶瓷基片,得到分离后的若干梳齿陶瓷基片;步骤6,绘制侧面图形:将若干梳齿陶瓷基片并排紧靠,每个梳齿陶瓷基片的侧面朝上,且梳齿陶瓷基片的方向一致,梳齿陶瓷基片的两端对齐;根据侧面定位点利用激光束在各个梳齿陶瓷基片的侧面的相应位置绘制图形;保持激光束与梳齿陶瓷基片的侧面垂直。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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