[发明专利]衬底处理装置及半导体器件的制造方法在审
| 申请号： | 201410817432.1 | 申请日： | 2014-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN104752276A | 公开（公告）日： | 2015-07-01 |
| 发明（设计）人： | 西堂周平 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立国际电气 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所11256 | 代理人： | 杨宏军,李文屿 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 抑制衬托器与簇射头之间的温度差的衬底处理装置及半导体器件的制造方法。衬底处理装置构成为，具有处理室，对衬底进行处理；衬底载置部，配置在处理室内，在表面具有载置衬底的衬底载置面，并且具有第1加热器；簇射头，具有第2加热器，并且设在与衬底载置面相对的位置，具备与衬底载置面相对的相对面；处理气体供给系统，经由簇射头对处理室供给对载置于衬底载置面的衬底进行处理的处理气体；排气系统，将处理室内的气氛排出；和控制部，控制第1加热器的输出及第2加热器的输出，使得在将衬底载置于衬底载置面后，在从处理气体供给系统供给处理气体时，衬底载置部的温度为规定的温度，相对面与衬底载置部的温度差为规定的范围内。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 处理 装置 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种衬底处理装置，其中，具有：处理室，其对衬底进行处理；衬底载置部，其配置在所述处理室内，在表面具有载置衬底的衬底载置面，并且具有第1加热器；簇射头，其具有第2加热器，并且设置在与所述衬底载置面相对的位置，具备与所述衬底载置面相对的相对面；处理气体供给系统，其经由所述簇射头对所述处理室供给对载置于所述衬底载置面的衬底进行处理的处理气体；排气系统，其将所述处理室内的气氛排出；和控制部，其控制所述第1加热器的输出以及所述第2加热器的输出，使得在将衬底载置于所述衬底载置面后，在从所述处理气体供给系统供给所述处理气体时，所述衬底载置部的温度为规定的温度，所述相对面与所述衬底载置部的温度差为规定的范围内。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
