[发明专利]具有设计的轮廓的栅极结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201410817552.1 | 申请日： | 2014-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN105655392B | 公开（公告）日： | 2019-05-21 |
| 发明（设计）人： | 郑楷黎;张哲诚 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供了半导体结构及其形成方法。该半导体结构包括形成在衬底上方的具有弯曲侧壁的金属栅极结构。该半导体结构还包括形成在金属栅极结构的弯曲侧壁上的间隔件。此外，金属栅极结构的每个弯曲侧壁均具有顶部、中间部分和底部，并且金属栅极结构的弯曲侧壁的中间部分和底部之间的角小于180°。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 设计 轮廓 栅极 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构，包括：金属栅极结构，形成在衬底上方并且具有弯曲侧壁；以及间隔件，形成在所述金属栅极结构的所述弯曲侧壁上，其中，所述金属栅极结构的每个弯曲侧壁均具有顶部、中间部分和底部，并且所述金属栅极结构的弯曲侧壁的所述中间部分和所述底部之间的角小于180°，所述金属栅极结构具有第一宽度、第二宽度，并且其中，所述第一宽度是从所述金属栅极结构的弯曲侧壁的所述顶部和所述中间部分的相交处测量的宽度，所述第二宽度是从所述金属栅极结构的弯曲侧壁的所述中间部分和所述底部的相交处测量的宽度，所述第二宽度大于所述第一宽度。
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