[发明专利]可见光及红外线图像传感器有效
申请号: | 201410817565.9 | 申请日: | 2014-12-24 |
公开(公告)号: | CN105321966B | 公开(公告)日: | 2018-08-07 |
发明(设计)人: | 艾瑞克·A·G·韦伯斯特;霍华德·E·罗兹;多米尼克·马塞提 | 申请(专利权)人: | 豪威科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L21/77 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 齐杨 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本申请案涉及一种可见光及红外线图像传感器。一种像素阵列包含安置在第一半导体层上的SixGey层。多个像素安置在所述第一半导体层中。所述多个像素包含:(1)第一像素部分,其通过间隔区域与所述SixGey层分离;及(2)第二像素部分,其包含与所述SixGey层接触的第一掺杂区域。所述像素阵列还包含安置在所述多个像素中的个别像素之间的钉扎阱。所述钉扎阱的第一部分延伸穿过所述第一半导体层。所述钉扎阱的第二部分延伸穿过所述第一半导体层及所述SixGey层。 | ||
搜索关键词: | 像素 半导体层 钉扎 红外线图像传感器 可见光 像素阵列 延伸穿过 安置 掺杂区域 间隔区域 申请案 | ||
【主权项】:
1.一种像素阵列,所述像素阵列包括:SixGey层,其安置在第一半导体层下方;多个像素,其安置在所述第一半导体层中,所述多个像素包含:多个参杂区域,其中所述多个像素中的每一像素包括相应参杂区域;第一像素子集,其中所述第一像素子集中的每一像素的所述相应参杂区域部分延伸到所述第一半导体层中且通过间隔区域与所述SixGey层分离;以及第二像素子集,其中所述第二像素子集中的每一像素的所述相应掺杂区域延伸穿过所述第一半导体层且与所述SixGey层接触;以及多个钉扎阱,所述多个钉扎阱中的每一钉扎阱安置在所述多个像素中的个别像素之间,其中第一钉扎阱子集延伸穿过所述第一半导体层,且第二钉扎阱子集延伸穿过所述第一半导体层及所述SixGey层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的