[发明专利]一种电子收集器实现方法

摘要

本发明涉及一种电子收集器实现方法，其特征在于包括以下内容：1)根据半导体材料光生载流子寿命及扩散距离，确定电子收集区域；2)根据收集效果，采用光学变换原理设定环形电子收集区域的三个电子迁移率值；3)根据设定的环形电子收集区域的径向电子迁移率u_r和环向电子迁移率u_θ分别得到A扇形区域和B扇形区域所对应的迁移率分布；4)根据计算得到的A扇形区域和B扇形区域的电子迁移率分布，并依据电子迁移率与半导体掺杂杂质的关系，得到相应区域掺杂杂质的剂量分布；5)根据环形电子收集区域周围的电子迁移率μ₀，计算得到C区域的掺杂杂质的剂量分布；6)根据环形电子收集区域的尺寸和A扇形区域、B扇形区域以及C区域的掺杂杂质的剂量分布，制作掩模板；7)利用离子注入方式在制作的掩模板上注入相应剂量的掺杂杂质，即制作得到一电子收集器。

主权项

一种电子收集器实现方法，其特征在于包括以下内容：1)根据半导体材料光生载流子寿命及扩散距离，确定电子收集区域，具体过程为：1.1)采用半导体材料制作一基底，根据半导体材料光生载流子寿命及扩散距离，在基底上设置一环形电子收集区域，并将环形电子收集区域间隔分割成若干扇形区域；1.2)将所有扇形区域分别定义为A扇形区域和B扇形区域相间分布，环形电子收集区域以外的区域定义为C区域；2)根据收集效果，采用光学变换原理设定环三个电子迁移率值，其中，三个电子迁移率值分别为环形电子收集区域周围的电子迁移率μ₀，环形电子收集区域的径向电子迁移率μ_r为以及环形电子收集区域的环向电子迁移率μ_θ；3)根据设定的环形电子收集区域的径向电子迁移率u_r和环向电子迁移率u_θ分别得到A扇形区域和B扇形区域所对应的迁移率分布；4)根据计算得到的A扇形区域和B扇形区域的电子迁移率分布，并依据电子迁移率与半导体掺杂杂质的关系，得到环形电子收集区域的A扇形区域和B扇形区域的掺杂杂质的剂量分布；5)根据环形电子收集区域周围的电子迁移率μ₀，通过半导体迁移率大小和半导体掺杂杂质的大小的关系，计算得到C区域的掺杂杂质的剂量分布；6)根据环形电子收集区域的尺寸和A扇形区域、B扇形区域以及C区域的掺杂杂质的剂量分布，制作掩模板；7)利用离子注入方式在制作的掩模板上注入相应剂量的掺杂杂质，即制作得到一电子收集器。