[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201410817762.0 | 申请日： | 2014-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN104733424A | 公开（公告）日： | 2015-06-24 |
| 发明（设计）人： | 渡边真司;木田刚;小野善宏;森健太郎;坂田贤治;山田裕介 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498;H01L21/60 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 李兰;孙志湧 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体器件及其制造方法。为了提高半导体器件的可靠性。在电耦合Cu柱形电极和引线的导电材料中，包括锡和铜的合金的合金部件形成在这个导电材料内部。此时，合金部件接触Cu柱形电极和引线二者，并且Cu柱形电极和引线通过合金部件相接。类似地，另外，在图8中，发现Cu柱形电极和引线通过合金部件彼此电耦合。由此，可以提高Cu柱形电极和引线之间的电耦合可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：(a)第一半导体芯片，在所述第一半导体芯片中形成有含铜的突出电极；以及(b)衬底，在所述衬底上方形成有含铜的电极，在所述第一半导体芯片中形成的所述突出电极和在所述衬底上方形成的所述电极通过含锡的导电材料彼此电耦合，其中，在所述导电材料中形成含锡和铜的合金的合金部件，并且其中，所述合金部件接触所述突出电极和所述电极二者，并且所述突出电极和所述电极通过所述合金部件相接。
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