[发明专利]二氧化碳检测用半导体激光芯片的制作方法在审
| 申请号： | 201410818520.3 | 申请日： | 2014-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN104538843A | 公开（公告）日： | 2015-04-22 |
| 发明（设计）人： | 罗帅;季海铭;高凤;杨涛 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01S5/343 | 分类号： | H01S5/343 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种二氧化碳检测用半导体激光芯片的制作方法，包括：选择一InP衬底，在该衬底上依次沉积InP缓冲层、下波导层、下限制层、量子阱层、上限制层、上波导层和InP盖层；在上波导层及InP盖层上制作出布拉格光栅条纹；之其上二次外延InP上包层、第一梯度层、第二梯度层及InGaAs接触层；向下刻蚀，刻蚀深度到达布拉格光栅条纹的表面，使InGaAs接触层向下形成脊型条结构，该脊型条结构的两侧形成台面；在脊型条结构的表面及其两侧的台面上淀积电介质层；在脊型条结构的上面开电极窗口；在淀积电介质层的台面及电极窗口内蒸镀P面电极；将InP衬底减薄、抛光；在InP衬底的背面蒸镀N面电极；退火合金、加厚电极，划片解理，完成激光芯片的制作。 | ||
| 搜索关键词： | 二氧化碳 检测 半导体 激光 芯片 制作方法 | ||
【主权项】：
一种二氧化碳检测用半导体激光芯片的制作方法，包括如下步骤：步骤1：选择一InP衬底，在该衬底上依次沉积InP缓冲层、下波导层、下限制层、量子阱层、上限制层、上波导层和InP盖层；步骤2：通过全息曝光及刻蚀方法在上波导层及InP盖层上制作出布拉格光栅条纹；步骤3：在具有布拉格光栅条纹的基片上二次外延InP上包层、第一梯度层、第二梯度层及InGaAs接触层；步骤4：在InGaAs接触层上向下刻蚀，刻蚀深度到达布拉格光栅条纹的表面，使InGaAs接触层向下形成脊型条结构，该脊型条结构的两侧形成台面；步骤5：在脊型条结构的表面及其两侧的台面上淀积电介质层；步骤6：在脊型条结构的上面开电极窗口；步骤7：在淀积电介质层的台面及电极窗口内蒸镀P面电极，形成基片；步骤8：将基片的InP衬底减薄、抛光；步骤9：在InP衬底的背面蒸镀N面电极，形成芯片；步骤10：将芯片退火合金、加厚电极，划片解理，完成激光芯片的制作。
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