[发明专利]一种新型的晶圆镀膜片光罩清洗工艺在审
申请号: | 201410818887.5 | 申请日: | 2014-12-25 |
公开(公告)号: | CN105789025A | 公开(公告)日: | 2016-07-20 |
发明(设计)人: | 马兆国 | 申请(专利权)人: | 上海旭福电子有限公司;敦南微电子(无锡)有限公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L31/18;B08B3/08 |
代理公司: | 上海东亚专利商标代理有限公司 31208 | 代理人: | 罗习群 |
地址: | 201619 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供一种新型的晶圆镀膜片光罩清洗工艺,包括下列步骤:(1)将晶圆片镀膜片光罩置于去离子水的槽中,槽中去离子水的温度在5 ~ 30℃,浸泡时间为10s~600s;(2)配制清洗液:a,H2SO4 浓度为30% ~ 99%;b,H2O2 浓度为20% ~ 70%;将a,H2SO4和b,H2O2按1~10:1的体积比例混合撑拌均匀,加温至60~100℃置于另一槽中待用;(3)将步骤(1)浸泡后的晶圆片镀膜片光罩,置于步骤(2)配置的配有清洗液的槽中,浸泡时间为10s~600s;(4)脱水处理:用丙酮,或丙醇,或无水酒精,进行脱水处理,(5)烘干:使用烘烤烤箱进行最后的烘干处理,烤箱温度为80~150℃,烘烤时间为30s~600s。 | ||
搜索关键词: | 一种 新型 镀膜 片光罩 清洗 工艺 | ||
【主权项】:
一种新型的晶圆镀膜片光罩清洗工艺,包括下列步骤: (1)将晶圆片镀膜片光罩固定在专用夹具上,置于去离子水的槽中,DI wa槽中去离子水的温度在5 ~ 30℃,浸泡时间为10s~600s;(2)配制清洗液:a,H2SO4 浓度为30% ~ 99%;b,H2O2 浓度为20% ~ 70% 将a,H2SO4 和b,H2O2按1~10: 1的体积比例混合撑拌均匀,加温至60~100℃置于另一槽中待用;(3)将步骤(1)浸泡后的固定夹具上的晶圆片镀膜片光罩,置于步骤(2)配置的配有清洗液的槽中,清洗液必须浸没晶圆片镀膜片光罩,浸泡时间为10s~600s;(4)脱水处理:用丙酮,或丙醇,或无水酒精,进行脱水处理,将浸泡过清洗液的晶圆片镀膜片光罩,置于配有上述化学溶液的槽中进行浸泡,溶液液位必须浸没过晶圆片镀膜片光罩,浸泡时间为30s~600s;(5)烘干:使用烘烤烤箱进行最后的烘干处理,烤箱温度为80~150℃,烘烤时间为30s~600s。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造