[发明专利]一种新型的晶圆镀膜片光罩清洗工艺在审

专利信息
申请号: 201410818887.5 申请日: 2014-12-25
公开(公告)号: CN105789025A 公开(公告)日: 2016-07-20
发明(设计)人: 马兆国 申请(专利权)人: 上海旭福电子有限公司;敦南微电子(无锡)有限公司
主分类号: H01L21/02 分类号: H01L21/02;H01L31/18;B08B3/08
代理公司: 上海东亚专利商标代理有限公司 31208 代理人: 罗习群
地址: 201619 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明提供一种新型的晶圆镀膜片光罩清洗工艺,包括下列步骤:(1)将晶圆片镀膜片光罩置于去离子水的槽中,槽中去离子水的温度在5 ~ 30℃,浸泡时间为10s~600s;(2)配制清洗液:a,H2SO4 浓度为30% ~ 99%;b,H2O2 浓度为20% ~ 70%;将a,H2SO4和b,H2O2按1~10:1的体积比例混合撑拌均匀,加温至60~100℃置于另一槽中待用;(3)将步骤(1)浸泡后的晶圆片镀膜片光罩,置于步骤(2)配置的配有清洗液的槽中,浸泡时间为10s~600s;(4)脱水处理:用丙酮,或丙醇,或无水酒精,进行脱水处理,(5)烘干:使用烘烤烤箱进行最后的烘干处理,烤箱温度为80~150℃,烘烤时间为30s~600s。
搜索关键词: 一种 新型 镀膜 片光罩 清洗 工艺
【主权项】:
一种新型的晶圆镀膜片光罩清洗工艺,包括下列步骤: (1)将晶圆片镀膜片光罩固定在专用夹具上,置于去离子水的槽中,DI wa槽中去离子水的温度在5 ~ 30℃,浸泡时间为10s~600s;(2)配制清洗液:a,H2SO4   浓度为30% ~ 99%;b,H2O2    浓度为20% ~ 70%  将a,H2SO4 和b,H2O2按1~10: 1的体积比例混合撑拌均匀,加温至60~100℃置于另一槽中待用;(3)将步骤(1)浸泡后的固定夹具上的晶圆片镀膜片光罩,置于步骤(2)配置的配有清洗液的槽中,清洗液必须浸没晶圆片镀膜片光罩,浸泡时间为10s~600s;(4)脱水处理:用丙酮,或丙醇,或无水酒精,进行脱水处理,将浸泡过清洗液的晶圆片镀膜片光罩,置于配有上述化学溶液的槽中进行浸泡,溶液液位必须浸没过晶圆片镀膜片光罩,浸泡时间为30s~600s;(5)烘干:使用烘烤烤箱进行最后的烘干处理,烤箱温度为80~150℃,烘烤时间为30s~600s。
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