[发明专利]半导体结构的形成方法有效
| 申请号： | 201410820269.4 | 申请日： | 2014-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN105762109B | 公开（公告）日： | 2019-01-25 |
| 发明（设计）人： | 邓浩 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/3105 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 应战;骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底，在所述基底上形成超低K介质层，所述超低K介质层中包括硅甲基键；刻蚀所述超低K介质层，在所述超低K介质层中形成凹槽，在刻蚀过程中，等离子体损伤使得所述凹槽侧壁暴露的超低K介质层中硅甲基键转化为硅氢氧键；对凹槽侧壁暴露的超低K介质层进行惰性等离子处理，使得硅氢氧键中的氢氧基从硅原子上断裂，在凹槽侧壁暴露的超低K介质层表面形成硅悬挂键；进行碳化处理工艺，将硅悬挂键转化为硅碳氢键；进行氮化处理工艺，将硅碳氢键转化为硅碳氮氢键，在凹槽侧壁暴露的超低K介质层表面形成SiCNH薄膜层。本发明的方法改善或消除了形成扩散阻挡层时的凹槽的侧壁粗糙度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，在所述基底上形成超低K介质层，所述超低K介质层中包括硅甲基键；刻蚀所述超低K介质层，在所述超低K介质层中形成凹槽，在刻蚀过程中，等离子体损伤使得所述凹槽侧壁暴露的超低K介质层中硅甲基键转化为硅氢氧键；对凹槽侧壁暴露的超低K介质层进行惰性等离子处理，使得硅氢氧键中的氢氧基从硅原子上断裂，在凹槽侧壁暴露的超低K介质层表面形成硅悬挂键；进行碳化处理工艺，将硅悬挂键转化为硅碳氢键；进行碳化处理工艺后，进行氮化处理工艺，将硅碳氢键转化为硅碳氮氢键，在凹槽侧壁暴露的超低K介质层表面形成SiCNH薄膜层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
