[发明专利]具有熔丝阵列的半导体器件及其操作方法有效
| 申请号： | 201410820304.2 | 申请日： | 2014-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN105280236B | 公开（公告）日： | 2020-07-17 |
| 发明（设计）人： | 金贵东 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | G11C17/16 | 分类号： | G11C17/16;G11C17/18 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 俞波;许伟群 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体器件包括：熔丝阵列，其包括验证熔丝和正常熔丝；判断块，其适于：基于读取参考电压来读取被编程在所述验证熔丝中的数据，且在启动准备区段期间，判断读取值是否与预定值相同；以及电平控制块，其适于：在所述启动准备区段期间，基于判断结果来调整所述读取参考电压的电平。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 阵列 半导体器件 及其 操作方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：熔丝阵列，其包括验证熔丝和正常熔丝；判断块，其适于：基于读取参考电压来读取被编程在所述验证熔丝中的数据，且在启动准备区段期间，判断读取值是否与预定值相同；以及电平控制块，其适于：在所述启动准备区段期间，基于判断结果来调整所述读取参考电压的电平。
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