[发明专利]半导体电阻有效
| 申请号： | 201410822102.1 | 申请日： | 2014-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN105789330B | 公开（公告）日： | 2019-04-16 |
| 发明（设计）人： | 潘光燃;王焜;文燕;石金成;高振杰 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/8605 | 分类号： | H01L29/8605 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 杨贝贝;黄健 |
| 地址： | 100871 北京市海*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体电阻，包括：N型衬底；P型栅极，形成于所述N型衬底之上；形成于所述P型栅极两侧且位于所述N型衬底中的P型源极和P型漏极；N型掺杂区，形成于所述N型衬底内且靠近所述P型源极；金属连接线，连接于所述N型掺杂区、所述P型源极和所述P型栅极，所述N型掺杂区、所述P型源极和所述P型栅极构成所述半导体电阻的一端，所述P型漏极构成所述半导体电阻的另一端。本发明的半导体电阻，无需设置另外的功能模块给栅极施加电压以使半导体电阻起到等效电阻的作用，并且无需在源极和漏极之间另外构造P型导电沟道，简化了半导体电阻的结构及制造工艺，节约了成本。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 电阻 | ||
【主权项】：
1.一种半导体电阻，其特征在于，包括：N型衬底；P型栅极，形成于所述N型衬底之上；形成于所述P型栅极两侧且位于所述N型衬底中的P型源极和P型漏极；N型掺杂区，形成于所述N型衬底内且靠近所述P型源极；金属连接线，连接于所述N型掺杂区、所述P型源极和所述P型栅极，所述N型掺杂区、所述P型源极和所述P型栅极构成所述半导体电阻的一端，所述P型漏极构成所述半导体电阻的另一端；所述N型衬底的掺杂浓度为1×1014～1×1018原子/立方厘米，所述P型栅极的掺杂浓度为1×1019～1×1023原子/立方厘米，所述P型源极和所述P型漏极的掺杂浓度均为1×1019～1×1023原子/立方厘米；使所述半导体电阻的阈值电压大于0伏。
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