[发明专利]像素单元及成像系统有效
申请号: | 201410822566.2 | 申请日: | 2014-12-25 |
公开(公告)号: | CN105321967A | 公开(公告)日: | 2016-02-10 |
发明(设计)人: | 代铁军;王睿;戴森·H·戴;真锅宗平 | 申请(专利权)人: | 全视科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 齐杨 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本申请案涉及一种像素单元及成像系统。一种像素单元包含光电二极管,所述光电二极管安置在第一半导体芯片内以响应于入射在所述光电二极管上的光而积累图像电荷。转移晶体管安置在所述第一半导体芯片内且耦合到所述光电二极管以从所述光电二极管转移所述图像电荷。偏置电压产生电路安置在第二半导体芯片内以产生偏置电压。所述偏置电压产生电路耦合到所述第一半导体芯片以使用所述偏置电压来偏置所述光电二极管。所述偏置电压相对于所述第二半导体芯片的接地电压是负的。浮动扩散区安置在所述第二半导体芯片内。所述转移晶体管经耦合以将所述图像电荷从所述第一半导体芯片上的所述光电二极管转移到所述第二半导体芯片上的所述浮动扩散区。 | ||
搜索关键词: | 像素 单元 成像 系统 | ||
【主权项】:
一种像素单元,其包括:光电二极管,其安置在第一半导体芯片内以响应于入射在所述光电二极管上的光而积累图像电荷;转移晶体管,其安置在所述第一半导体芯片内且耦合到所述光电二极管以从所述光电二极管转移所述图像电荷;偏置电压产生电路,其安置在第二半导体芯片内以用于产生偏置电压,其中所述偏置电压产生电路耦合到所述第一半导体芯片以使用所述偏置电压来偏置所述光电二极管,其中所述偏置电压相对于所述第二半导体芯片的接地电压是负的;以及浮动扩散区,其安置在所述第二半导体芯片内,其中所述转移晶体管经耦合以将所述图像电荷从所述第一半导体芯片上的所述光电二极管转移到所述第二半导体芯片上的所述浮动扩散区。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于全视科技有限公司,未经全视科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201410822566.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:婴儿餐椅
- 下一篇:一种新型高效散热LED灯体
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的