[发明专利]像素单元及成像系统有效

专利信息
申请号: 201410822566.2 申请日: 2014-12-25
公开(公告)号: CN105321967A 公开(公告)日: 2016-02-10
发明(设计)人: 代铁军;王睿;戴森·H·戴;真锅宗平 申请(专利权)人: 全视科技有限公司
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 齐杨
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 本申请案涉及一种像素单元及成像系统。一种像素单元包含光电二极管,所述光电二极管安置在第一半导体芯片内以响应于入射在所述光电二极管上的光而积累图像电荷。转移晶体管安置在所述第一半导体芯片内且耦合到所述光电二极管以从所述光电二极管转移所述图像电荷。偏置电压产生电路安置在第二半导体芯片内以产生偏置电压。所述偏置电压产生电路耦合到所述第一半导体芯片以使用所述偏置电压来偏置所述光电二极管。所述偏置电压相对于所述第二半导体芯片的接地电压是负的。浮动扩散区安置在所述第二半导体芯片内。所述转移晶体管经耦合以将所述图像电荷从所述第一半导体芯片上的所述光电二极管转移到所述第二半导体芯片上的所述浮动扩散区。
搜索关键词: 像素 单元 成像 系统
【主权项】:
一种像素单元,其包括:光电二极管,其安置在第一半导体芯片内以响应于入射在所述光电二极管上的光而积累图像电荷;转移晶体管,其安置在所述第一半导体芯片内且耦合到所述光电二极管以从所述光电二极管转移所述图像电荷;偏置电压产生电路,其安置在第二半导体芯片内以用于产生偏置电压,其中所述偏置电压产生电路耦合到所述第一半导体芯片以使用所述偏置电压来偏置所述光电二极管,其中所述偏置电压相对于所述第二半导体芯片的接地电压是负的;以及浮动扩散区,其安置在所述第二半导体芯片内,其中所述转移晶体管经耦合以将所述图像电荷从所述第一半导体芯片上的所述光电二极管转移到所述第二半导体芯片上的所述浮动扩散区。
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