[发明专利]一种高度可调节的聚焦环及其高度调节方法在审
| 申请号： | 201410823652.5 | 申请日： | 2014-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN105789006A | 公开（公告）日： | 2016-07-20 |
| 发明（设计）人： | 吴磊;叶如彬;浦远 | 申请（专利权）人： | 中微半导体设备（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/21 | 分类号： | H01J37/21 |
| 代理公司： | 上海信好专利代理事务所(普通合伙) 31249 | 代理人： | 张静洁;徐雯琼 |
| 地址： | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高度可调节的聚焦环组件，设为环形结构，包含：绝缘环，设置在基座延展部的上方；外聚焦环，设置在绝缘环的上方，环绕套设在晶圆的外侧壁；内聚焦环，设置在绝缘环的上方，其内径小于晶圆的直径，其外径小于外聚焦环的内径，使内聚焦环至少部分位于晶圆下表面的边缘以内；弹性圈，设置在外聚焦环与所述绝缘环之间，弹性圈内为中空且可充气，通过改变弹性圈中气体的压力，调节外聚焦环的高度。本发明还公开了一种聚焦环高度调节方法。本发明通过气动调节聚焦环的纵向高度，实现改变等离子体鞘层的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高度 调节 聚焦 及其 方法 | ||
【主权项】：
一种高度可调节的聚焦环组件，设为环形结构，位于一等离子体蚀刻腔中，等离子体蚀刻腔中包括一个基座，基座中心区域上方支撑有晶圆，基座外围还包括一环形延展部围绕所述晶圆，所述延展部的上表面低于所述晶圆的下表面，其特征在于，所述聚焦环组件包含：一绝缘环，设置在所述延展部上方；一外聚焦环，设置在所述绝缘环的上方，环绕套设在所述晶圆的外侧壁；一内聚焦环，设置在所述绝缘环的上方，其内径小于所述晶圆的直径，其外径小于所述外聚焦环的内径，使所述内聚焦环至少部分位于晶圆下表面的边缘以内；弹性圈，设置在所述外聚焦环与所述绝缘环之间，所述弹性圈内为中空且可充气，通过改变弹性圈中气体的压力，调节外聚焦环的高度。
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