[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201410825950.8 | 申请日： | 2014-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN104752378B | 公开（公告）日： | 2018-09-25 |
| 发明（设计）人： | 蔡纾婷;杨敦年;刘人诚;陈思莹;陈愉婷 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L25/065;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法。在一些实施例中，半导体器件包括第一半导体芯片和接合到第一半导体芯片的第二半导体芯片，第一半导体芯片包括第一衬底和形成在第一衬底上方的第一导电部件。第二半导体芯片包括第二衬底和形成在第二衬底上方的第二导电部件。导电插塞设置成穿过第一导电部件并且连接到第二导电部件。该导电插塞包括设置在第一导电部件上方的第一部分和设置在第一导电部件之下或内的第二部分，第一部分具有第一宽度。第二部分具有第二宽度。第一宽度大于第二宽度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：第一半导体芯片，包括第一衬底和形成在所述第一衬底上方的第一导电部件；接合至所述第一半导体芯片的第二半导体芯片，所述第二半导体芯片包括第二衬底和形成在所述第二衬底上方的第二导电部件，所述第二导电部件位于所述第二半导体芯片的顶部金属化层中，所述第二导电部件在所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片之间的界面处直接接合至所述第一导电部件；以及导电插塞，设置成穿过所述第一导电部件并且连接至所述第二导电部件，其中，所述导电插塞包括：第一部分，设置在所述第一导电部件上方，所述第一部分包括第一宽度；和第二部分，设置在所述第一导电部件之下或设置在所述第一导电部件内，所述第二部分包括第二宽度，其中，所述第一宽度大于所述第二宽度，所述第一导电部件包括用于所述导电插塞的所述第二部分形成的硬掩模；其中，所述导电插塞还包括设置在所述第一部分和所述第一导电部件之间的第三部分，所述第三部分的部分设置在所述第一导电部件内，所述导电插塞的部分设置在所述第二导电部件内。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410825950.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
