[发明专利]出光率高的LED芯片及其制作方法在审
| 申请号： | 201410826493.4 | 申请日： | 2014-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN104538511A | 公开（公告）日： | 2015-04-22 |
| 发明（设计）人： | 吴飞翔;陈立人;李庆;蔡睿彦 | 申请（专利权）人： | 聚灿光电科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/20 |
| 代理公司： | 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235 | 代理人： | 杨林洁 |
| 地址： | 215123 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种出光率高的LED芯片及其制作方法，其中制作方法包括如下步骤：S1.提供衬底，在衬底上依次制作N型半导体层、发光层以及P型半导体层；S2.在P型半导体层上制作导电层；S3.在导电层上刻蚀mesa图形，并在形成的mesa图形区域中的边缘位置刻蚀沟槽；S4.以刻蚀形成的mesa图形为掩膜对导电层和P型半导体层进行刻蚀，并刻蚀至N型半导体层；S5.在导电层上和暴露出的N型半导体层上沉积保护层；S6.制作P电极和N电极。本发明的LED芯片的制作方法通过优化mesa图形区域的结构，减少了LED芯片照明时产生的侧向光，使得LED芯片发出的光集中从正向发出，提高了LED的发光效率和亮度。 | ||
| 搜索关键词： | 出光率高 led 芯片 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种出光率高的LED芯片的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括如下步骤：S1.提供衬底，在所述衬底上依次制作N型半导体层、发光层以及P型半导体层，形成LED晶圆结构；S2.在所述P型半导体层上制作导电层；S3.在所述导电层上刻蚀mesa图形，并在所述形成的mesa图形区域中的边缘位置刻蚀沟槽；S4.以刻蚀形成的mesa图形为掩膜对导电层和P型半导体层进行刻蚀，并刻蚀至N型半导体层；S5.在导电层上和暴露出的N型半导体层上沉积保护层；S6.制作P电极和N电极。
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