[发明专利]金属表面电沉积制备硅烷膜的方法在审
| 申请号： | 201410826955.2 | 申请日： | 2014-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN104451807A | 公开（公告）日： | 2015-03-25 |
| 发明（设计）人： | 王艳秋;窦宝捷;邵亚薇;孟国哲;张涛;刘斌 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工程大学 |
| 主分类号： | C25D9/02 | 分类号： | C25D9/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 150001 黑龙江省哈尔滨市南岗区*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 本发明提供的是一种金属表面电沉积制备硅烷膜的方法。在装有硅烷预水解溶液的高压釜内，金属基体作为工作电极，铂片作为对电极，Ag/AgCl电极作为参比电极，通入高纯氧气控制高压釜内压强为0～20MPa，对工作电极施加阴极电位为-0.45～-1.5V，电沉积10s～60min，取出金属基体，用高压氮气去除表面多余硅烷预水解溶液，在60～200℃干燥固化，固化时间为10～360min。本发明采用氧气加压电沉积的方法，能有效提高硅烷预水解溶液中氧气的含量，能够使溶液中的氧气及时补充到金属基体表面，促进金属表面的阴极电沉积过程，从而提高硅烷膜的成膜质量及其防护性能。 | ||
| 搜索关键词： | 金属表面 沉积 制备 硅烷 方法 | ||
【主权项】：
一种金属表面电沉积制备硅烷膜的方法，其特征是：在装有硅烷预水解溶液的高压釜内，金属基体作为工作电极，铂片作为对电极，Ag/AgCl电极作为参比电极，通入高纯氧气控制高压釜内压强为0～20MPa，对工作电极施加阴极电位为‑0.45～‑1.5V，电沉积10s～60min，取出金属基体，用高压氮气去除表面多余硅烷预水解溶液，在60～200℃干燥固化，固化时间为10～360min。
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