[发明专利]晶片的加工方法有效
申请号: | 201410827307.9 | 申请日: | 2014-12-25 |
公开(公告)号: | CN104752346B | 公开(公告)日: | 2019-04-23 |
发明(设计)人: | 内田文雄;堤义弘 | 申请(专利权)人: | 株式会社迪思科 |
主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304;H01L21/311;H01L21/683;H01L21/78;B23K26/364;B28D5/00 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 李辉;蔡丽娜 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供晶片的加工方法,其能够将晶片分割成一个个器件而不会对器件产生不良影响。是沿着分割预定线分割晶片的晶片的加工方法,其包括下述工序:功能层切断工序,沿着在构成晶片的功能层上形成的分割预定线照射激光光线,由此对功能层进行烧蚀加工,形成沿着分割预定线将构成晶片的功能层切断的激光加工槽;保护部件粘贴工序,将保护部件粘贴于功能层的正面;切削槽形成工序,将切削刀具从构成晶片的基板的背面侧定位在与分割预定线对应的区域,并形成未到达功能层的切削槽;晶片支承工序,将切割带粘贴于构成晶片的基板的背面,利用环状的框架支承切割带的外周部,并且将保护部件剥离;以及带扩张工序,使粘贴有构成晶片的基板的背面的切割带扩张,使器件之间扩展开。 | ||
搜索关键词: | 晶片 功能层 分割预定线 粘贴 保护部件 切割带 基板 切削槽 加工 背面 照射激光光线 激光加工槽 分割晶片 晶片分割 晶片支承 切断工序 切削刀具 形成工序 外周部 烧蚀 支承 剥离 | ||
【主权项】:
1.一种晶片的加工方法,在所述晶片中,在层叠于基板的正面的功能层上通过形成为格子状的多个分割预定线划分出的多个区域中形成有器件,该晶片的加工方法是沿着分割预定线分割所述晶片的方法,其特征在于,形成该功能层的绝缘膜由低介电常数绝缘体覆膜构成,所述晶片的加工方法包括以下工序:功能层切断工序,在该功能层切断工序中,沿着在构成晶片的功能层上形成的分割预定线照射激光光线,由此对功能层进行烧蚀加工,形成沿着分割预定线将功能层切断的激光加工槽,该激光加工槽的深度大于该功能层的厚度;保护部件粘贴工序,在该保护部件粘贴工序中,将保护部件粘贴到构成实施了该功能层切断工序后的晶片的功能层的正面;切削槽形成工序,在该切削槽形成工序中,将实施了该保护部件粘贴工序后的晶片的该保护部件侧保持于卡盘工作台上,将切削刀具从构成晶片的基板的背面侧定位在与分割预定线对应的区域,形成未到达功能层的切削槽;晶片支承工序,在该晶片支承工序中,将切割带粘贴于构成实施了该切削槽形成工序后的晶片的基板的背面,利用环状的框架支承切割带的外周部,并且将该保护部件剥离;以及带扩张工序,在该带扩张工序中,使粘贴有构成实施了该晶片支承工序后的晶片的基板的背面的切割带扩张,使器件之间扩展开。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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