[发明专利]一种电场调控的石墨烯/砷化镓太阳电池及其制备方法有效
申请号: | 201410827634.4 | 申请日: | 2014-12-29 |
公开(公告)号: | CN104576787A | 公开(公告)日: | 2015-04-29 |
发明(设计)人: | 林时胜;李晓强;陈红胜;骆季奎;李尔平;王朋;章盛娇;徐志娟 | 申请(专利权)人: | 浙江大学 |
主分类号: | H01L31/0352 | 分类号: | H01L31/0352;H01L31/18 |
代理公司: | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人: | 韩介梅 |
地址: | 310027 浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及一种电场调控的石墨烯/砷化镓太阳电池及其制备方法,该石墨烯/砷化镓太阳电池自下而上依次有背面电极、砷化镓层、石墨烯层、绝缘介质层和栅极,该太阳电池还设有正面电极,所述正面电极设置在石墨烯层上。其制备方法如下:先在砷化镓片一面制作背面电极;清洗后将石墨烯转移至砷化镓片另一面上;在石墨烯上制作正面电极;再在石墨烯上制作绝缘介质层;最后在绝缘介质层上制作栅极,获得太阳电池。本发明的电场调控的石墨烯/砷化镓太阳电池可以通过外加电场调控石墨烯的掺杂状态,进而可以进一步提高石墨烯/砷化镓太阳电池的光电转化效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 电场 调控 石墨 砷化镓 太阳电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种电场调控的石墨烯/砷化镓太阳电池,其特征在于自下而上依次有背面电极(1)、n型掺杂或p型掺杂的砷化镓层(2)、石墨烯层(3)、绝缘介质层(5)和栅极(6),所述的太阳电池还设有正面电极(4),正面电极(4)设置在石墨烯层(3)上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于浙江大学,未经浙江大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201410827634.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的