[发明专利]多腔体生长发光二极管外延片的方法在审
| 申请号： | 201410827953.5 | 申请日： | 2014-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN104465906A | 公开（公告）日： | 2015-03-25 |
| 发明（设计）人： | 焦建军;黄小辉;周德保;康建;梁旭东 | 申请（专利权）人： | 圆融光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/02 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 杨贝贝;黄健 |
| 地址： | 243000 安徽省马鞍山*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明提供一种多腔体生长发光二极管外延片的方法，该方法包括：采用至少两个腔体生长获取发光二极管外延片，其中所述发光二极管外延片包括以下单层：非掺杂层、N型掺杂层、量子阱发光层、P型掺杂层，本发明中，采用至少两个腔体生长获取发光二极管外延片，可以针对性的保证发光二极管外延片各个层的生长条件，进而保证发光二极管外延片的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 多腔体 生长 发光二极管 外延 方法 | ||
【主权项】：
一种多腔体生长发光二极管外延片的方法，其特征在于，包括：采用至少两个腔体生长获取发光二极管外延片，其中所述发光二极管外延片包括以下单层：非掺杂层、N型掺杂层、量子阱发光层、P型掺杂层。
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