[发明专利]三端原子开关器件及其制备方法有效
| 申请号： | 201410828155.4 | 申请日： | 2014-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN104465989A | 公开（公告）日： | 2015-03-25 |
| 发明（设计）人： | 吕杭炳;刘明;刘琦;龙世兵 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种三端原子开关器件及其制备方法，属于微电子制造及存储器技术领域。该三端原子开关器件包括：包含有源端和漏端的堆叠结构；刻蚀该堆叠结构而形成的垂直沟槽；在该垂直沟槽内壁及底部形成的M8XY6沟道层；以及在该M8XY6沟道层表面形成的控制端，且该控制端充满该垂直沟槽，其中源端电阻和漏端电阻受控制端调控。本发明基于三端原子开关器件，依靠源漏问电阻随控制端电压的高度非线性变化特征实现高开关比特性，结构简单、易集成、密度高、成本低，可用于交叉阵列结构中的选通管，抑制由漏电流引起的串扰现象；本发明提出的三端原子开关器件同时适用于平面堆叠交叉阵列结构以及垂直交叉阵列结构，实现高密度的三维存储。 | ||
| 搜索关键词： | 原子 开关 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种三端原子开关器件，其特征在于，包括：包含有源端(301)和漏端(302)的堆叠结构；刻蚀该堆叠结构而形成的垂直沟槽；在该垂直沟槽内壁及底部形成的M8XY6沟道层(501)；以及在该M8XY6沟道层(501)表面形成的控制端(601)，且该控制端(601)充满该垂直沟槽。
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