[发明专利]真空处理装置、用于改善真空处理装置工艺结果的方法有效
| 申请号： | 201410828546.6 | 申请日： | 2014-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN105789089B | 公开（公告）日： | 2019-11-05 |
| 发明（设计）人： | 左涛涛;吴狄;何乃明 | 申请（专利权）人： | 中微半导体设备（上海）股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人： | 王洁 |
| 地址： | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种真空处理装置以及用于改善真空处理装置工艺结果的方法。所述真空处理装置，包括：由底壁、侧壁及顶盖围成的反应腔室，所述顶盖以可转动的方式安装在所述侧壁上，以使得所述反应腔室可通过所述顶盖暴露；气弹簧，所述气弹簧的一端安装在所述顶盖上，另一端安装在所述侧壁上，用于在所述顶盖完全打开、完全关闭时使所述顶盖保持状态；液压阻尼器，所述液压阻尼器的一端安装在所述顶盖上，一端安装在所述侧壁上，用于限制所述顶盖打开或关闭过程中的速度。 | ||
| 搜索关键词： | 真空 处理 装置 用于 改善 工艺 结果 方法 | ||
【主权项】：
1.用于半导体加工的真空处理装置，包括：由底壁、侧壁及顶盖围成的反应腔室，所述顶盖以可转动的方式安装在所述侧壁上，以使得所述反应腔室可通过所述顶盖暴露；气弹簧，所述气弹簧的一端安装在所述顶盖上，另一端安装在所述侧壁上，用于在所述顶盖完全打开、完全关闭时使所述顶盖保持状态，当所述顶盖完全关闭时，所述侧壁的上表面与所述顶盖之间呈零度角，当所述顶盖完全打开时，所述顶盖与所述侧壁的上表面之间呈钝角；液压阻尼器，所述液压阻尼器的一端安装在所述顶盖上，一端安装在所述侧壁上，用于限制所述顶盖打开或关闭过程中的速度；所述气弹簧与所述液压阻尼器平行设置。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中微半导体设备（上海）股份有限公司，未经中微半导体设备（上海）股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410828546.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
