[发明专利]微波GaAs衬底在片S参数微带线TRL校准件

摘要

本发明公开了一种微波GaAs衬底在片S参数微带线TRL校准件，涉及微波/毫米波S参数测试技术领域。包括GaAs衬底层，所述GaAs衬底层下表面连接有金属层，其上表面设有直通标准件Thru、反射标准件Reflect和传输线标准件Line的图形结构，所述直通标准件Thru、反射标准件Reflect和传输线标准件Line的地压点分别通过贯穿GaAs衬底层的接地柱与所述金属层连接，所述GaAs衬底层设有与接地柱相适配的接地通孔。本发明采用与被测件相同的GaAs流片工艺制作。在微波单片电路管芯模型参数提取时使用该校准件，可使校准后的参考平面位于管芯根部，提高模型提取的准确度。

主权项

1.一种基于微波GaAs衬底在片S参数微带线TRL校准件，其特征在于：包括GaAs衬底层(2)，所述GaAs衬底层(2)下表面连接有金属层(1)，其上表面设有直通标准件Thru(3)、反射标准件Reflect(4)和传输线标准件Line(5)的图形结构，所述直通标准件Thru(3)、反射标准件Reflect(4)和传输线标准件Line(5)的地压点(6)分别通过贯穿GaAs衬底层(2)的接地柱(7)与所述金属层(1)连接，所述GaAs衬底层(2)设有与接地柱(7)相适配的接地通孔；所述直通标准件Thru(3)和传输线标准件Line(5)的特征阻抗为50Ω，校准时的校准频率范围为2GHz～26.5GHz；所述GaAs衬底层与被测件的衬底层相同；探针压点附近的结构与被测件上相对应的结构相同；其中，所述直通标准件Thru(3)的长度为196μm，校准时直通标准件Thru的长度值定义为0μm；所述反射标准件Reflect(4)采用开路实现，校准时延迟补偿定义值为0ps；所述传输线标准件Line(5)有5条，分别为415μm、576μm、1173μm、3129μm和4596μm，校准时相对直通标准件Thru对各传输线标准件Line的长度进行定义，定义值分别为219μm、380μm、977μm、2933μm和4400μm；所述直通标准件Thru(3)、反射标准件Reflect(4)和传输线标准件Line(5)相对探针压点的位置设有二维压点对标线，所述二维压点对标线的对标线宽度为2μm。