[发明专利]一种提高低杂波与等离子体耦合效率的充气结构在审

专利信息
申请号: 201410829026.7 申请日: 2014-12-26
公开(公告)号: CN104700904A 公开(公告)日: 2015-06-10
发明(设计)人: 丁伯江;李妙辉;孔二华;张磊 申请(专利权)人: 中国科学院等离子体物理研究所
主分类号: G21B1/11 分类号: G21B1/11
代理公司: 安徽合肥华信知识产权代理有限公司 34112 代理人: 余成俊
地址: 230031 安徽*** 国省代码: 安徽;34
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开了一种提高低杂波与等离子体耦合效率的充气结构,在低杂波天线离子侧和电子侧分别安装充气管道,两个充气管道分别各自连接有独立的气路控制系统,两个充气管道在极向上曲率半径与低杂波天线的形状匹配,在极向上的高度覆盖低杂波天线保护限制器的高度。本发明相对于离子侧充气而言,具有更高提高天线端口密度和低杂波与等离子体耦合的效率,为实现长脉冲高约束等离子体奠定了基础,为今后ITER和聚变堆装置提高波与等离子体耦合的设计提供一定的参考价值。
搜索关键词: 一种 提高 低杂波 等离子体 耦合 效率 充气 结构
【主权项】:
一种提高低杂波与等离子体耦合效率的充气结构,其特征在于:在低杂波天线离子侧和电子侧分别安装充气管道,两充气管道距离低杂波天线中心的环向角为33.75度,且两个充气管道分别各自连接有独立的气路控制系统,,两个充气管道的走向均沿极向布置,其在极向上曲率半径与低杂波天线的形状匹配,在极向上的高度覆盖低杂波天线保护限制器的高度,在每个充气管道中间设置进气孔,每个充气管道在极向上的两头封口,在每个充气管道极向上开有多个出气孔,且多个出气孔沿径向均匀排列。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院等离子体物理研究所;,未经中国科学院等离子体物理研究所;许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201410829026.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top