[发明专利]一种提高低杂波与等离子体耦合效率的充气结构在审
申请号: | 201410829026.7 | 申请日: | 2014-12-26 |
公开(公告)号: | CN104700904A | 公开(公告)日: | 2015-06-10 |
发明(设计)人: | 丁伯江;李妙辉;孔二华;张磊 | 申请(专利权)人: | 中国科学院等离子体物理研究所 |
主分类号: | G21B1/11 | 分类号: | G21B1/11 |
代理公司: | 安徽合肥华信知识产权代理有限公司 34112 | 代理人: | 余成俊 |
地址: | 230031 安徽*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本发明公开了一种提高低杂波与等离子体耦合效率的充气结构,在低杂波天线离子侧和电子侧分别安装充气管道,两个充气管道分别各自连接有独立的气路控制系统,两个充气管道在极向上曲率半径与低杂波天线的形状匹配,在极向上的高度覆盖低杂波天线保护限制器的高度。本发明相对于离子侧充气而言,具有更高提高天线端口密度和低杂波与等离子体耦合的效率,为实现长脉冲高约束等离子体奠定了基础,为今后ITER和聚变堆装置提高波与等离子体耦合的设计提供一定的参考价值。 | ||
搜索关键词: | 一种 提高 低杂波 等离子体 耦合 效率 充气 结构 | ||
【主权项】:
一种提高低杂波与等离子体耦合效率的充气结构,其特征在于:在低杂波天线离子侧和电子侧分别安装充气管道,两充气管道距离低杂波天线中心的环向角为33.75度,且两个充气管道分别各自连接有独立的气路控制系统,,两个充气管道的走向均沿极向布置,其在极向上曲率半径与低杂波天线的形状匹配,在极向上的高度覆盖低杂波天线保护限制器的高度,在每个充气管道中间设置进气孔,每个充气管道在极向上的两头封口,在每个充气管道极向上开有多个出气孔,且多个出气孔沿径向均匀排列。
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