[发明专利]一种电子束过热熔炼去除多晶硅中金属杂质的方法和装置有效
| 申请号： | 201410829665.3 | 申请日： | 2014-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN104556050A | 公开（公告）日： | 2015-04-29 |
| 发明（设计）人： | 姜大川;石爽;王登科;谭毅 | 申请（专利权）人： | 大连理工大学 |
| 主分类号： | C01B33/037 | 分类号： | C01B33/037 |
| 代理公司： | 大连东方专利代理有限责任公司 21212 | 代理人： | 赵淑梅;李馨 |
| 地址： | 116024 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种电子束过热熔炼去除多晶硅中金属杂质的方法和装置，属于冶金领域。所述装置包括水冷熔炼坩埚，所述水冷铜坩埚采用倾斜式侧壁设计，所述水冷铜坩埚内侧壁与水冷铜坩埚底夹角为105～120°，所述水冷铜坩埚内设有石墨衬套，所述石墨衬套外表面与水冷铜坩埚内表面贴合，紧配合设计，石墨衬套的底部与水冷铜坩埚底部水平，所述石墨衬套内表面侧壁与石墨衬套底夹角为95～100°。在本发明装置中进行过热熔炼去除金属杂质，可减少后续定向凝固以及铸锭的次数，减少提纯工艺，降低生产成本；多晶硅提纯电子束过热熔炼可降低后期定向凝固次数1次以上；多晶硅提纯电子束过热熔炼可降低多晶硅中金属杂质30％以上。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电子束 过热 熔炼 去除 多晶 金属 杂质 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种电子束过热熔炼去除多晶硅中金属杂质的装置，包括水冷熔炼坩埚，其特征在于：所述水冷铜坩埚内侧壁与水冷铜坩埚底夹角为105～120°，所述水冷铜坩埚内设有石墨衬套，所述石墨衬套外表面与水冷铜坩埚内表面贴合，石墨衬套的底部与水冷铜坩埚底部水平，所述石墨衬套内表面侧壁与石墨衬套底夹角为95～100°。
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