[发明专利]薄膜晶体管及其制备方法有效
| 申请号： | 201410830434.4 | 申请日： | 2014-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN105789318B | 公开（公告）日： | 2019-02-22 |
| 发明（设计）人： | 林昶 | 申请（专利权）人： | 昆山国显光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 215300 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种薄膜晶体管的制备方法，包括：提供一薄膜基板，所述薄膜基板上形成有一基层薄膜，所述基层薄膜上形成有图形化的开关多晶硅层和驱动多晶硅层；在所述基层薄膜上形成栅极绝缘层，所述栅极绝缘层覆盖所述开关多晶硅层和驱动多晶硅层；在所述栅极绝缘层上形成阻挡层，所述阻挡层覆盖所述驱动薄膜晶体管区上的栅极绝缘层，所述阻挡层暴露出所述开关薄膜晶体管区上的栅极绝缘层；对所述开关薄膜晶体管区上的栅极绝缘层进行氧化处理；以及去除所述阻挡层。本发明公开了一种采用上述制备方法得到的薄膜晶体管。本发明提供薄膜晶体管及其制备方法，可以提高薄膜晶体管的开关性能和灰阶控制。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括：提供一薄膜基板，所述薄膜基板包括开关薄膜晶体管区和驱动薄膜晶体管区，所述薄膜基板上形成有一基层薄膜，所述开关薄膜晶体管区上的所述基层薄膜上形成有图形化的开关多晶硅层，在所述驱动薄膜晶体管区上的所述基层薄膜上形成有图形化的驱动多晶硅层；在所述基层薄膜上形成栅极绝缘层，所述栅极绝缘层覆盖所述开关多晶硅层和驱动多晶硅层；在所述栅极绝缘层上形成阻挡层，所述阻挡层覆盖所述驱动薄膜晶体管区上的栅极绝缘层，所述阻挡层暴露出所述开关薄膜晶体管区上的栅极绝缘层；对所述开关薄膜晶体管区上的栅极绝缘层进行氧化处理；以及去除所述阻挡层。
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