[发明专利]在FinFET上形成沟槽的方法及由此产生的FinFET在审
| 申请号： | 201410830602.X | 申请日： | 2014-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN104752230A | 公开（公告）日： | 2015-07-01 |
| 发明（设计）人： | 曹学文;李家庆;姆鲁尼尔·A.·卡迪尔巴德;李达元 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人： | 章社杲,李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明提供了在FinFET上形成沟槽的方法及由此产生的FinFET。提供了一种在FinFET上形成沟槽的方法。在示例性实施例中，第一层间介电层以插入的方式在FinFET的第一栅极和第二栅极之间形成。第二层间介电层在第一层间介电层、FinFET的第一栅极和FinFET的第二栅极之上形成。光刻胶层在第二层间介电层之上形成。并且第二层间介电层的不位于光刻胶层之下的部分被蚀刻掉。 | ||
| 搜索关键词： | finfet 形成 沟槽 方法 由此 产生 | ||
【主权项】：
一种在鳍式场效应晶体管(FinFET)上形成沟槽的方法，包括：以插入方式在所述FinFET的第一栅极与第二栅极之间形成第一层间介电层；在所述第一层间介电层、所述FinFET的所述第一栅极和所述FinFET的所述第二栅极之上形成第二层间介电层；图案化位于所述第二层间介电层上方的光刻胶层；以及蚀刻所述第二层间介电层的不位于所述光刻胶层之下的部分。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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