[发明专利]一种抗辐照三结级联砷化镓太阳电池及制备方法

摘要

本发明涉及一种抗辐照三结级联砷化镓太阳电池，顶电池上为接触层，顶电池和中间电池之间为第一隧穿结，中间电池和底电池之间依次为第二隧穿结、至少一层分布式布拉格反射器、缓冲层和成核层，底电池下为衬底。本发明中，将GaInAs中间电池的GaInAs基区的厚度调整为1.4～2微米，GaInAs基区厚度的降低可以抵消辐照引起的载流子扩散长度下降造成的收集问题，提高了抗辐照能力，同时在GaInAs中间电池和Ge底电池之间设置至少一层分布式布拉格反射器，提高了GaInAs中间电池对应光谱在GaInAs中间电池的光通路径，提高了短路电流密度，在工作终期仍能保持较高的转换效率，本发明经过等效于同步卫星在轨15年所受所有高能粒子总辐照的试验后，转换效率的衰减率仅为传统结构太阳电池的二分之一。

主权项

一种抗辐照三结级联砷化镓太阳电池，包括顶电池、中间电池和底电池，其特征在于：顶电池上为接触层，顶电池和中间电池之间为第一隧穿结，中间电池和底电池之间依次为第二隧穿结、至少一层分布式布拉格反射器、缓冲层和成核层，底电池下为衬底。