[发明专利]一种GaN基LED外延结构及其制备方法有效
| 申请号： | 201410831198.8 | 申请日： | 2014-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN104505443B | 公开（公告）日： | 2017-12-05 |
| 发明（设计）人： | 冯猛;陈立人;蔡睿彦 | 申请（专利权）人： | 聚灿光电科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/06 |
| 代理公司： | 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙)32235 | 代理人： | 杨林洁 |
| 地址： | 215123 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种GaN基LED外延结构及其制备方法，GaN基LED外延结构依次包括衬底；位于衬底上的氮化物缓冲层；位于氮化物缓冲层上的N型GaN层；位于N型GaN层上的多量子阱层，多量子阱层包括若干组量子阱层，每组量子阱层依次包括InxGa(1‑x)N势阱层、AlN/GaN超晶格结构层、和GaN势垒层；位于多量子阱层上的P型GaN层。本发明可以提高量子阱的界面质量，同时减少内部应力，从而提高量子阱的内量子效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 gan led 外延 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种GaN 基LED 外延结构，其特征在于，所述GaN 基LED 外延结构依次包括：衬底；位于衬底上的氮化物缓冲层；位于氮化物缓冲层上的N 型GaN 层；位于N 型GaN 层上的多量子阱层，所述多量子阱层包括若干组量子阱层，每组量子阱层依次包括InxGa(1‑x)N 势阱层、AlN/GaN 超晶格结构层、和GaN 势垒层；位于多量子阱层上的P 型GaN 层;所述AlN/GaN 超晶格结构层中，AlN 层与GaN 层的层数分别为1 ～ 10 层，每个AlN 层的厚度为1 ～ 20A，每个GaN 层的厚度为1 ～ 20A，所述In xGa(1‑x)N 势阱层中x 的取值为5％～ 30％，InxGa(1‑x)N 势阱层的厚度为2nm ～ 5nm。
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