[发明专利]一种钽靶材及其制备方法

摘要

本发明提供了一种钽靶材及其制备方法，包括以下步骤，首先将钽锭经过第一次锻造后，得到一次锻造坯料；然后将上述步骤得到的一次锻造坯料经过第二次锻造和第一次热处理后，得到二次锻造坯料；再将上述步骤得到的二次锻造坯料经过第三次锻造和第二次热处理后，得到三次锻造坯料；再将上述步骤得到的三次锻造坯料经过第四次锻造和第三次热处理后，得到四次锻造坯料；最后将上述步骤得到的四次锻造坯料经过轧制和第四次热处理后，得到钽靶材；所述第一次锻造为旋转锻造；所述第一次锻造的温度为800～1400℃。本发明制备的钽靶材织构分布均匀、晶粒尺寸小，能够符合高端半导体镀膜行业的使用要求。

主权项

一种钽靶材的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：A)将钽锭经过第一次锻造后，得到一次锻造坯料；所述第一次锻造为旋转锻造,所述旋转锻造的次数为1～6次；所述第一次锻造的温度为800～1400℃；所述第一次锻造的锻造比为2～7；B)将上述步骤得到的一次锻造坯料经过第二次锻造和第一次热处理后，得到二次锻造坯料；所述第二次锻造为轴向墩粗拔长锻造，所述轴向墩粗拔长锻造的次数为1～6次；所述第二次锻造的锻造比为4.5～15；C)将上述步骤得到的二次锻造坯料经过第三次锻造和第二次热处理后，得到三次锻造坯料；所述第三次锻造为三向墩粗拔长锻造，所述三向墩粗拔长锻造的次数为1～6次；所述第三次锻造的锻造比为4.5～15；D)将上述步骤得到的三次锻造坯料经过第四次锻造和第三次热处理后，得到四次锻造坯料；所述第四次锻造为墩粗锻造，所述墩粗锻造的次数为1～6次；所述第四次锻造的锻造比为4.5～15；E)将上述步骤得到的四次锻造坯料经过轧制和第四次热处理后，得到钽靶材；所述轧制为十字交叉轧制；所述轧制的温度为800～1400℃，轧制的道次为5～12个，轧制的总加工率为50％～75％；所述第二次锻造、第三次锻造和第四次锻造的温度各自独立的选取为800～1400℃；所述第一次热处理、第二次热处理、第三次热处理和第四次热处理的温度各自独立的选取为900～1100℃；所述第一次热处理、第二次热处理、第三次热处理和第四次热处理的时间各自独立的选取为90～240min。