[发明专利]一种纳米级六方氮化硼/二氧化硅复相陶瓷材料的制备方法有效
| 申请号： | 201410833418.0 | 申请日： | 2014-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN104529412A | 公开（公告）日： | 2015-04-22 |
| 发明（设计）人： | 金汉;李永锋;史忠旗;乔冠军 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | C04B35/14 | 分类号： | C04B35/14;C04B35/626 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 陆万寿 |
| 地址： | 710049 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种纳米级六方氮化硼/二氧化硅复相陶瓷材料的制备方法，属于陶瓷材料技术领域。制备包括：将六方氮化硼粉体在400～800℃下进行氧化处理，将氧化处理后的六方氮化硼粉体与二氧化硅粉体混合，经球磨搅拌、造粒、压片、排胶后，在气氛炉中于1500～1600℃进行烧结，经冷却制得纳米级六方氮化硼/二氧化硅复相陶瓷材料。本发明方法操作简单，对设备要求低，经该方法制得的复相陶瓷材料的致密度、弯曲强度及断裂韧性良好。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 级六方 氮化 二氧化硅 陶瓷材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种纳米级六方氮化硼/二氧化硅复相陶瓷材料的制备方法，其特征在于，将六方氮化硼粉体在400～800℃下进行氧化处理，将氧化处理后的六方氮化硼粉体与二氧化硅粉体混合，经球磨搅拌、造粒、压片、排胶后，在气氛炉中于1500～1600℃进行烧结，经冷却制得纳米级六方氮化硼/二氧化硅复相陶瓷材料。
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