[发明专利]泡生法用单晶炉及其籽晶保护结构以及晶体生长控制方法

摘要

一种籽晶保护结构，包括筒体及内部的进气管，筒体外部设有夹头；设于单晶炉中，该单晶炉还包括炉体、加热器及隔热屏。一种泡生法晶体生长控制方法：将籽晶装入夹头，将多晶原料装入坩埚，加热使原料熔化，同时向进气管通入冷却气体；将筒体向坩埚方向向下移动，直至与多晶熔体接触；控制加热器功率稳定不变，控制冷却气体流量使夹头内的籽晶既不收缩也不长大；逐渐增大冷却气体流量，使籽晶与多晶熔体熔接处长大；控制冷却气体流量以控制晶体的生长速度使晶体生长界面以合适的生长速度往多晶熔体扩张而晶体不断长大，直至结晶过程结束，晶体和熔体脱离；将多晶熔体冷却直至室温。本发明可实现晶体生长过程的精确而灵活控制。

主权项

一种籽晶保护结构，其特征在于，它包括一个筒体，该筒体开口一端设有进气管，另一端外部设有夹头；该进气管末端通入该筒体内部底端，该夹头呈圆筒状，该夹头开口与该筒体开口方向相反。